La troisième génération de matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, notamment le nitrure de gallium (GaN), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure d'aluminium (AlN), présente d'excellentes propriétés électriques, thermiques et acousto-optiques. Ces matériaux répondent aux limites de la......
En savoir plusPour répondre aux exigences de hautes performances et de faible consommation d'énergie dans le domaine de la technologie moderne des semi-conducteurs, le SiGe (silicium germanium) est devenu un matériau composite de choix dans la fabrication de puces semi-conductrices en raison de ses propriétés phy......
En savoir plusEn tant qu'unité de longueur, l'Angstrom (Å) est omniprésente dans la fabrication de circuits intégrés. Du contrôle précis de l’épaisseur du matériau à la miniaturisation et à l’optimisation de la taille des dispositifs, la compréhension et l’application de l’échelle Angstrom sont au cœur du dévelop......
En savoir plus