Les plaquettes épitaxiales et diffusées sont des matériaux essentiels dans la fabrication de semi-conducteurs, mais elles diffèrent considérablement par leurs processus de fabrication et leurs applications cibles. Cet article examine les principales distinctions entre ces types de plaquettes.
En savoir plusLe substrat en carbure de silicium est un matériau monocristallin semi-conducteur composé de deux éléments, le carbone et le silicium. Il présente les caractéristiques d'une large bande interdite, d'une conductivité thermique élevée, d'une intensité de champ de claquage critique élevée et d'un taux ......
En savoir plusAu sein de la chaîne industrielle du carbure de silicium (SiC), les fournisseurs de substrats détiennent un levier important, principalement en raison de la répartition de la valeur. Les substrats SiC représentent 47 % de la valeur totale, suivis par les couches épitaxiales à 23 %, tandis que la con......
En savoir plusLes MOSFET SiC sont des transistors qui offrent une densité de puissance élevée, un rendement amélioré et de faibles taux de défaillance à haute température. Ces avantages des MOSFET SiC apportent de nombreux avantages aux véhicules électriques (VE), notamment une autonomie plus longue, une charge p......
En savoir plusLa première génération de matériaux semi-conducteurs est principalement représentée par le silicium (Si) et le germanium (Ge), qui ont commencé à se développer dans les années 1950. Le germanium était dominant au début et était principalement utilisé dans les transistors et photodétecteurs basse ten......
En savoir plusUne croissance épitaxiale sans défaut se produit lorsqu'un réseau cristallin a des constantes de réseau presque identiques à celles d'un autre. La croissance se produit lorsque les sites des deux réseaux au niveau de la région d'interface correspondent approximativement, ce qui est possible avec un ......
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