Le développement du 3C-SiC, un polytype important de carbure de silicium, reflète les progrès continus de la science des matériaux semi-conducteurs. Dans les années 1980, Nishino et al. a d'abord réalisé un film 3C-SiC de 4 µm d'épaisseur sur un substrat de silicium par dépôt chimique en phase vapeu......
En savoir plusLes couches épaisses et de haute pureté en carbure de silicium (SiC), dépassant généralement 1 mm, sont des composants essentiels dans diverses applications de grande valeur, notamment la fabrication de semi-conducteurs et les technologies aérospatiales. Cet article se penche sur le processus de dép......
En savoir plusLe silicium monocristallin et le silicium polycristallin ont chacun leurs propres avantages et scénarios applicables. Le silicium monocristallin convient aux produits électroniques et microélectroniques hautes performances en raison de ses excellentes propriétés électriques et mécaniques. Le siliciu......
En savoir plusDans le processus de préparation des plaquettes, il existe deux maillons essentiels : l'un est la préparation du substrat et l'autre est la mise en œuvre du processus d'épitaxie. Le substrat, une tranche soigneusement constituée d'un matériau monocristallin semi-conducteur, peut être directement int......
En savoir plusLe dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technique polyvalente de dépôt de couches minces largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour fabriquer des films minces conformes de haute qualité sur divers substrats. Ce processus implique des réactions chimiques de précurseurs gaze......
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