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Progrès de la recherche sur les revêtements TaC sur les surfaces de matériaux à base de carbone

Les matériaux à base de carbone tels que le graphite, les fibres de carbone et les composites carbone/carbone (C/C) sont connus pour leur résistance spécifique élevée, leur module spécifique élevé et leurs excellentes propriétés thermiques, ce qui les rend adaptés à une large gamme d'applications à ......

Quelles applications du substrat de nitrure de gallium (GaN) ?

Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau important dans la technologie des semi-conducteurs, connu pour ses propriétés électroniques et optiques exceptionnelles. Le GaN, en tant que semi-conducteur à large bande interdite, possède une énergie de bande interdite d'environ 3,4 eV, ce qui le rend id......

Un examen de 9 techniques de frittage pour les céramiques en carbure de silicium

Le carbure de silicium (SiC), une céramique structurelle de premier plan, est réputé pour ses propriétés exceptionnelles, notamment la résistance aux températures élevées, la dureté, le module élastique, la résistance à l'usure, la conductivité thermique et la résistance à la corrosion. Ces attribut......

Défis techniques dans les fours de croissance de cristaux de carbure de silicium

Les fours de croissance cristalline en carbure de silicium (SiC) constituent la pierre angulaire de la production de plaquettes de SiC. Tout en partageant des similitudes avec les fours traditionnels de croissance de cristaux de silicium, les fours SiC sont confrontés à des défis uniques en raison d......

Technologie de purification du graphite dans un semi-conducteur SiC

Le graphite est essentiel à la production de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), connus pour leurs propriétés thermiques et électriques exceptionnelles. Cela rend le SiC idéal pour les applications haute puissance, haute température et haute fréquence. Dans la fabrication de semi-conducte......

Méthode de croissance des cristaux GaN

Lors de la production de substrats monocristallins GaN de grande taille, le HVPE constitue actuellement le meilleur choix pour la commercialisation. Cependant, la concentration en porteurs arrière du GaN développé ne peut pas être contrôlée avec précision.

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