Substrats d'oxyde de gallium 4"

Les substrats en oxyde de gallium Semicorex 4" présentent une excellente stabilité chimique et thermique, garantissant que ses performances restent constantes et fiables même dans des conditions extrêmes. Cette robustesse est cruciale dans les applications impliquant des températures élevées et des environnements réactifs. De plus, les substrats en oxyde de gallium 4" conservent une excellente transparence optique. sur une large gamme de longueurs d'onde allant de l'ultraviolet à l'infrarouge, ce qui le rend attrayant pour les applications optoélectroniques, notamment les diodes électroluminescentes et les diodes laser.

Avec une bande interdite allant de 4,7 à 4,9 eV, les substrats d'oxyde de gallium de 4 pouces surpassent considérablement le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) en termes d'intensités de champ électrique critiques, atteignant jusqu'à 8 MV/cm par rapport aux 2,5 MV/cm du SiC et GaN 3,3 MV/cm. Cette propriété, combinée à une mobilité électronique de 250 cm²/Vs et à une transparence améliorée dans la conduction de l'électricité, donne aux substrats d'oxyde de gallium 4" un avantage significatif en électronique de puissance. Le facteur de mérite de son Baliga dépasse 3 000, soit plusieurs fois celui du GaN et du SiC, ce qui indique une efficacité supérieure dans les applications de puissance.

Les substrats d'oxyde de gallium Semicorex 4" sont particulièrement avantageux pour une utilisation dans les véhicules de communication, les radars, l'aérospatiale, les trains à grande vitesse et les nouvelles énergies. Ils sont exceptionnellement adaptés aux capteurs de détection de rayonnement dans ces secteurs, en particulier dans les domaines de haute puissance, haute température, et les dispositifs haute fréquence dans lesquels le Ga2O3 présente des avantages significatifs par rapport au SiC et au GaN.