Substrat Ga2O3
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Substrat Ga2O3

Libérez le potentiel des applications de pointe en matière de semi-conducteurs avec notre substrat Ga2O3, un matériau révolutionnaire à la pointe de l'innovation en matière de semi-conducteurs. Ga2O3, un semi-conducteur à large bande interdite de quatrième génération, présente des caractéristiques inégalées qui redéfinissent les performances et la fiabilité des dispositifs électriques.

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Description du produit

Ga2O3 se distingue comme un semi-conducteur à large bande interdite, garantissant stabilité et résilience dans des conditions extrêmes, ce qui le rend idéal pour les environnements à haute température et à fort rayonnement.

Avec une intensité de champ de claquage élevée et des valeurs Baliga exceptionnelles, le Ga2O3 excelle dans les applications haute tension et haute puissance, offrant une fiabilité inégalée et de faibles pertes de puissance.

Le Ga2O3 surpasse les matériaux traditionnels grâce à ses performances énergétiques supérieures. Les valeurs Baliga pour Ga2O3 sont quatre fois supérieures à celles de GaN et dix fois supérieures à celles de SiC, ce qui se traduit par d'excellentes caractéristiques de conduction et une efficacité énergétique. Les dispositifs Ga2O3 présentent des pertes de puissance représentant seulement 1/7ème de celles du SiC et un impressionnant 1/49ème de celles des dispositifs à base de silicium.

La dureté inférieure du Ga2O3 par rapport au SiC simplifie le processus de fabrication, ce qui entraîne des coûts de traitement inférieurs. Cet avantage positionne Ga2O3 comme une alternative rentable pour diverses applications.

Cultivé à l'aide d'une méthode de fusion en phase liquide, le Ga2O3 présente une qualité cristalline supérieure avec une densité de défauts remarquablement faible, surpassant le SiC, qui est cultivé à l'aide d'une méthode en phase vapeur.

Ga2O3 présente un taux de croissance 100 fois plus rapide que le SiC, contribuant ainsi à une efficacité de production plus élevée et, par conséquent, à une réduction des coûts de fabrication.


Applications:

Dispositifs électriques : le substrat Ga2O3 est sur le point de révolutionner les dispositifs électriques, offrant quatre opportunités majeures :

Dispositifs unipolaires remplaçant les dispositifs bipolaires : les MOSFET remplacent les IGBT dans des applications telles que les véhicules à énergies nouvelles, les stations de recharge, les alimentations haute tension, le contrôle de l'alimentation industrielle, etc.

Efficacité énergétique améliorée : les dispositifs d'alimentation à substrat Ga2O3 sont économes en énergie, s'alignant sur les stratégies de neutralité carbone et de réduction des pics d'émissions de carbone.

Production à grande échelle : Grâce à un traitement simplifié et à une fabrication de puces rentable, le substrat Ga2O3 facilite la production à grande échelle.

Haute fiabilité : le substrat Ga2O3 avec des propriétés matérielles stables et une structure fiable le rend adapté aux applications de haute fiabilité, garantissant une longévité et des performances constantes.


Appareils RF : le substrat Ga2O3 change la donne sur le marché des appareils RF (radiofréquence). Ses avantages incluent :

Qualité des cristaux : le substrat Ga2O3 permet une croissance épitaxiale de haute qualité, surmontant les problèmes d'inadéquation de réseau associés à d'autres substrats.

Croissance rentable : la croissance rentable de Ga2O3 sur de grands substrats, en particulier sur des tranches de 6 pouces, en fait une option compétitive pour les applications RF.

Potentiel des dispositifs RF GaN : l'inadéquation minimale du réseau avec GaN positionne le Ga2O3 comme un substrat idéal pour les dispositifs RF GaN hautes performances.

Embrassez l’avenir de la technologie des semi-conducteurs avec le substrat Ga2O3, où les propriétés révolutionnaires rencontrent des possibilités illimitées. Révolutionnez vos applications de puissance et RF avec un matériau conçu pour l'excellence et l'efficacité.



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