Epitaxie Ga2O3
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Epitaxie Ga2O3

Entrez dans une nouvelle ère d'excellence des semi-conducteurs avec Semicorex Ga2O3 Epitaxy, une solution révolutionnaire qui redéfinit les limites de la puissance et de l'efficacité. Conçue avec précision et innovation, l’épitaxie Ga2O3 offre une plate-forme pour les dispositifs de nouvelle génération, promettant des performances inégalées dans diverses applications.

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Description du produit

L'épitaxie Ga2O3, dérivée du semi-conducteur à large bande interdite de quatrième génération, introduit un nouveau niveau de stabilité et de fiabilité des performances dans les environnements extrêmes. Sa nature à large bande interdite le positionne comme un matériau de choix pour les applications à haute température et à fort rayonnement.

Intensité de champ de claquage élevée : bénéficiez de l'intensité de champ de claquage exceptionnelle du Ga2O3 et des valeurs Baliga élevées, ce qui en fait un matériau inégalé pour les applications haute tension et haute puissance. L'épitaxie Ga2O3 garantit une fiabilité accrue et des pertes de puissance minimales.

L’épitaxie Ga2O3 se distingue par son rendement énergétique supérieur. Bénéficiant de valeurs quatre fois supérieures à celles du GaN et dix fois supérieures à celles du SiC, le Baliga présente d'excellentes caractéristiques de conduction. Les dispositifs d'épitaxie Ga2O3 présentent des pertes de puissance de seulement 1/7ème de celles du SiC et un impressionnant 1/49ème de celles des dispositifs à base de silicium.

La dureté inférieure de l'épitaxie Ga2O3 simplifie le processus de fabrication, ce qui entraîne une réduction des coûts de traitement. Cet avantage positionne l’épitaxie Ga2O3 comme une solution rentable et évolutive pour une gamme d’applications.




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