Bague de mise au point CVD SiC pour 2L10-506419-21

Au cours du processus de gravure au plasma, la distribution non uniforme du plasma dans la chambre de réaction peut entraîner de graves défauts au bord de la tranche, ce qui réduira le rendement du dispositif semi-conducteur. Semicorex CVD SiCbague de mise au pointpour 2L10-506419-21 est le composant idéal pour résoudre ce problème. Il est généralement installé sur le mandrin électrostatique et placé autour du bord de la tranche. La bague de focalisation Semicorex CVD SiC pour 2L10-506419-21 est capable de focaliser le plasma sur la surface de la tranche et d'optimiser la distribution du champ électrique dans la chambre de réaction. De cette manière, il peut empêcher efficacement le phénomène de gravure excessive des bords de la tranche, garantissant ainsi des résultats de gravure précis et uniformes.

Fonctions de la bague de mise au point Semicorex CVD SiC pour 2L10-506419-21

1. Il peut améliorer l'uniformité de la gravure et maintenir un taux de gravure constant entre le centre et le bord de la plaquette, augmentant ainsi le rendement final des puces semi-conductrices.

2. Il peut aider à créer une condition de gravure stable pour minimiser les écarts de processus et la contamination des particules causées par une distribution inégale du plasma.

3. Il peut protéger le bord de la plaquette pour éviter une gravure excessive et des dommages aux bords induits par le plasma.

Excellentes propriétés matérielles

SemicorexCVD SiCLa bague de mise au point pour 2L10-506419-21 est fabriquée avec précision à partir de matériaux CVD SiC solides. Le processus CVD peut améliorer considérablement les performances structurelles et fonctionnelles du carbure de silicium, ce qui fait que la bague de focalisation Semicorex CVD SiC pour 2L10-506419-21 présente les excellentes propriétés suivantes pour répondre aux environnements d'exploitation de gravure complexes.

1. Ultra-haute pureté et sa teneur en impuretés est inférieure à 5 ppm.

2.Haute résistance mécanique grâce à leur structure interne dense.

3. Capacité de gestion thermique supérieure, pas de fusion ou de ramollissement du matériau à une température d'environ 2000°C.

4. Résistance exceptionnelle à la corrosion, il peut résister à la gravure au plasma et à l'érosion par les gaz de traitement, notamment HF, HCl et NH₃.

Contrôle qualité de haute précision

Semicorex accorde toujours la précision et la qualité des composants comme priorité absolue et produit des bagues de mise au point CVD SiC strictement selon les normes de précision professionnelles de l'industrie des semi-conducteurs, ce qui garantit ainsi que la bague de mise au point Semicorex CVD SiC pour 2L10-506419-21 offre un ajustement parfait et un assemblage sans couture avec l'équipement TEL VIGUS RK4.