Anneaux de bord

Les anneaux de bord semicoréx sont un élément essentiel du processus complet de fabrication de semi-conducteurs, en particulier pour les applications de traitement des plaquettes, y compris la gravure du plasma et le dépôt chimique de vapeur (CVD). Les anneaux de bord sont conçus pour entourer le périmètre extérieur d'une tranche de semi-conducteurs afin de distribuer de l'énergie uniformément tout en améliorant la stabilité du processus, le rendement de la plaquette et la fiabilité de l'appareil. Nos anneaux de bord sont fabriqués à partir de carbure de silicium en silicium à vapeur chimique de haute pureté (CVD SIC) et sont conçus pour des environnements de processus exigeants.

Des problèmes surviennent pendant les processus à base de plasma où la non-uniformité énergétique et la distorsion du plasma au bord de la tranche créent un risque de défauts, de dérive de processus ou de perte de rendement. Les anneaux de bord minimisent ce risque en concentrant et en façonnant le champ d'énergie autour du périmètre extérieur de la tranche. Les anneaux de bord sont situés juste à l'extérieur du bord extérieur de la tranche et agissent comme des barrières de processus et des guides énergétiques qui minimisent les effets de bord, protègent le bord de la plaquette contre la sur-gravure et fournissent une uniformité supplémentaire essentielle à travers la surface de la plaquette.

Avantages matériels du CVD SIC:

Nos anneaux de bord sont fabriqués à partir de CVD de haute pureté, qui est conçu et conçu uniquement pour des environnements de processus sévères. La CVD SIC est caractérisée par une conductivité thermique exceptionnelle, une résistance mécanique élevée et une excellente résistance chimique - tous les attributs qui font du CVD SIC le matériau de choix pour les applications de semi-conducteur nécessitant une durabilité, une stabilité et de faibles problèmes de contamination.

Haute pureté: le CVD SIC a des impuretés presque nulles, ce qui signifie qu'il y aura peu ou pas de particules générées et aucune contamination par les métaux qui est vitale dans les semi-conducteurs de nœuds avancés.

Stabilité thermique: Le matériau maintient la stabilité dimensionnelle à des températures élevées, ce qui est crucial pour un placement de plaquette approprié dans sa position de plasma.

Inerness chimique: il est inerte à des gaz corrosifs tels que ceux contenant du fluor ou du chlore qui sont couramment utilisés dans un environnement de gravure plasmatique ainsi que des processus de MCV.

Résistance mécanique: le CVD SIC peut résister à la fissuration et à l'érosion sur des périodes de cycle prolongées assurant une durée de vie maximale et minimisant les coûts d'entretien.

Chaque anneau de bord est conçu sur mesure pour accueillir les dimensions géométriques de la chambre de processus et la taille de la tranche; Généralement 200 mm ou 300 mm. Les tolérances de conception sont prises très étroitement pour s'assurer que l'anneau de bord peut être utilisé dans le module de processus existant sans besoin de modification. Les géométries et les finitions de surface personnalisées sont disponibles pour répondre aux exigences OEM uniques ou aux configurations d'outils.