LPE SiC-Epi Demi-lune

En protégeant les composants de l'équipement, en empêchant la contamination et en garantissant des conditions de processus constantes, Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon permet à l'industrie des semi-conducteurs de produire des dispositifs toujours plus sophistiqués et performants qui alimentent notre monde technologique.

De nombreux matériaux succombent à une dégradation des performances à des températures élevées, mais pas au CVD TaC. Le LPE SiC-Epi Halfmoon, avec sa stabilité thermique et sa résistance à l'oxydation exceptionnelles, reste structurellement solide et chimiquement inerte même aux températures élevées rencontrées dans les réacteurs d'épitaxie. Cela garantit des profils de chauffage cohérents, empêche la contamination par des composants dégradés et permet une croissance cristalline fiable. Cette résilience provient du point de fusion élevé du TaC (supérieur à 3 800°C) et de sa résistance à l’oxydation et aux chocs thermiques.

De nombreux processus épitaxiaux reposent sur des gaz réactifs comme le silane, l'ammoniac et les organométalliques pour acheminer les atomes constitutifs vers le cristal en croissance. Ces gaz peuvent être très corrosifs, attaquer les composants du réacteur et potentiellement contaminer la délicate couche épitaxiale. Le LPE SiC-Epi Halfmoon résiste au barrage de menaces chimiques. Son inertie inhérente aux gaz réactifs l provient des fortes liaisons chimiques au sein du réseau TaC, empêchant ces gaz de réagir avec ou de diffuser à travers le revêtement. Cette résistance chimique exceptionnelle fait du LPE SiC-Epi Halfmoon un élément important pour la protection des composants dans les environnements de traitement chimique difficiles.

La friction est l’ennemie de l’efficacité et de la longévité. Le revêtement CVD TaC du LPE SiC-Epi Halfmoon agit comme un bouclier indomptable contre l'usure, réduisant considérablement les coefficients de frottement et minimisant la perte de matériau pendant le fonctionnement. Cette résistance à l'usure exceptionnelle est particulièrement précieuse dans les applications à contraintes élevées, où même une usure microscopique peut entraîner une dégradation significative des performances et une défaillance prématurée. Le LPE SiC-Epi Halfmoon excelle dans ce domaine, offrant une couverture conforme exceptionnelle qui garantit que même les géométries les plus complexes reçoivent une couche complète et protectrice, améliorant ainsi les performances et la longévité.

Il est révolu le temps où les revêtements CVD TaC étaient limités à de petits composants spécialisés. Les progrès de la technologie de dépôt ont permis la création de revêtements sur des substrats allant jusqu'à 750 mm de diamètre, ouvrant la voie à des composants plus grands et plus robustes, capables de gérer des applications encore plus exigeantes.

Pièce demi-lune de 8 pouces pour réacteur LPE

Avantages des revêtements CVD TaC en épitaxie :

Performances améliorées de l'appareil :En maintenant la pureté et l'uniformité du processus, les revêtements CVD TaC contribuent à la croissance de couches épitaxiales de meilleure qualité avec des propriétés électriques et optiques améliorées, conduisant à des performances améliorées dans les dispositifs semi-conducteurs.

Augmentation du débit et du rendement :La durée de vie prolongée des composants à revêtement CVD TaC réduit les temps d'arrêt associés à la maintenance et au remplacement, ce qui entraîne une disponibilité plus élevée du réacteur et une augmentation du débit de production. De plus, le risque de contamination réduit se traduit par des rendements plus élevés de dispositifs utilisables.

Rentabilité :Bien que les revêtements CVD TaC puissent avoir un coût initial plus élevé, leur durée de vie prolongée, leurs besoins de maintenance réduits et leurs rendements améliorés contribuent à des économies significatives sur la durée de vie de l'équipement d'épitaxie.