Pour répondre aux exigences de haute qualité des processus de circuits de puces IC avec des largeurs de lignes inférieures à 0,13 μm à 28 nm pour des tranches de polissage de silicium de 300 mm de diamètre, il est essentiel de minimiser la contamination par des impuretés, telles que des ions métalli......
En savoir plusAlors que le monde recherche de nouvelles opportunités dans le domaine des semi-conducteurs, le nitrure de gallium (GaN) continue de s'imposer comme un candidat potentiel pour les futures applications de puissance et RF. Cependant, malgré ses nombreux avantages, le GaN est confronté à un défi de tai......
En savoir plusLe polissage de la surface des plaquettes de silicium est un processus crucial dans la fabrication de semi-conducteurs. Son objectif principal est d'atteindre des normes extrêmement élevées de planéité et de rugosité des surfaces en éliminant les micro-défauts, les couches de dommages dus aux contra......
En savoir plusLa cellule unitaire cristalline de base du silicium monocristallin est la structure blende de zinc, dans laquelle chaque atome de silicium se lie chimiquement à quatre atomes de silicium voisins. Cette structure se retrouve également dans les diamants en carbone monocristallin.
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