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Infineon dévoile la première plaquette Power GaN de 300 mm au monde

Récemment, Infineon Technologies a annoncé le développement réussi de la première technologie de plaquette de nitrure de gallium (GaN) de puissance de 300 mm au monde.

Fabrication de silicium monocristallin

Les trois principales méthodes utilisées dans la fabrication du silicium monocristallin sont la méthode Czochralski (CZ), la méthode Kyropoulos et la méthode Float Zone (FZ).

Oxydation dans le traitement des semi-conducteurs

Les processus d'oxydation jouent un rôle essentiel dans la prévention de tels problèmes en créant une couche protectrice sur la plaquette, connue sous le nom de couche d'oxyde, qui agit comme une barrière entre les différents produits chimiques.

Analyser les applications et les perspectives de développement des céramiques SiC dans les secteurs des semi-conducteurs et du photovoltaïque

Le carbure de silicium (SiC), en tant que matériau céramique haut de gamme important, possède d'excellentes propriétés telles que la résistance aux hautes températures, la résistance à la corrosion, la résistance à l'usure, la résistance mécanique à haute température et la résistance à l'oxydation. ......

Pourquoi choisir le frittage sans pression pour la préparation de la céramique SiC ?

La température de synthèse ultra-élevée et la difficulté de réaliser un frittage dense des céramiques SiC ont limité leur développement. Le processus de frittage est crucial pour les céramiques SiC.

Qu'est-ce que le nitrure de silicium

Le nitrure de silicium (Si3N4) est un matériau clé dans le développement de céramiques structurelles avancées à haute température.

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