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Nouvelles

Avantages du revêtement TAC en croissance unique SIC

Actuellement, le carbure de silicium domine la troisième génération de semi-conducteurs. Dans la structure des coûts des appareils en carbure de silicium, les substrats représentent 47% et l'épitaxie contribue à 23%. Ensemble, ces deux composants représentent environ 70% du coût de fabrication globa......

Applications du carbure de silicium

Parmi les composants essentiels des véhicules électriques, les modules de puissance automobiles, utilisant principalement la technologie IGBT, jouent un rôle crucial. Ces modules déterminent non seulement les performances clés du système d'entraînement électrique, mais représentent également plus de......

Les perspectives d'application des substrats en carbure de silicium de 12 pouces

Le carbure de silicium (SiC), en tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite, offre des avantages inégalés dans les applications haute puissance, haute température et haute fréquence.

Méthode Czochralski

Les tranches sont découpées à partir de tiges de cristal, produites à partir de matériaux intrinsèques polycristallins et purs non dopés. Le processus de transformation d’un matériau polycristallin en monocristaux par fusion et recristallisation est connu sous le nom de croissance cristalline. Actue......

Fabrication de plaquettes

Les plaquettes sont des matières premières essentielles pour les circuits intégrés, les dispositifs de puissance et les dispositifs discrets à semi-conducteurs. Plus de 90 % des circuits intégrés sont fabriqués à partir de plaquettes de haute pureté et de haute qualité. La qualité et la capacité d'a......

Quels défis sont impliqués dans la fabrication de SiC ?

Dans le paysage des matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, le carbure de silicium (SiC) est devenu un matériau très apprécié, excellant particulièrement dans le domaine de la conversion haute puissance.

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