Le processus de croissance du silicium monocristallin se produit principalement dans un champ thermique, où la qualité de l'environnement thermique a un impact significatif sur la qualité des cristaux et l'efficacité de la croissance. La conception du champ thermique joue un rôle central dans la for......
En savoir plusAfin de présenter le suscepteur en graphite revêtu de SiC, il est important de comprendre son application. Lors de la fabrication de dispositifs, des couches épitaxiales supplémentaires doivent être construites sur certains substrats de tranches.
En savoir plusLe carbure de silicium (SiC) est un matériau qui possède une énergie de liaison élevée, similaire à d'autres matériaux durs comme le diamant et le nitrure de bore cubique. Cependant, l’énergie de liaison élevée du SiC rend difficile sa cristallisation directe en lingots via les méthodes de fusion tr......
En savoir plusL'industrie du carbure de silicium implique une chaîne de processus qui incluent la création de substrats, la croissance épitaxiale, la conception de dispositifs, la fabrication de dispositifs, l'emballage et les tests. En général, le carbure de silicium est créé sous forme de lingots, qui sont ensu......
En savoir plusLes matériaux semi-conducteurs peuvent être divisés en trois générations selon la séquence temporelle. La première génération de germanium, de silicium et d'autres monomatériaux courants, caractérisée par une commutation pratique, généralement utilisée dans les circuits intégrés. La deuxième générat......
En savoir plusLe carbure de silicium (SiC) a des applications importantes dans des domaines tels que l'électronique de puissance, les dispositifs RF haute fréquence et les capteurs pour environnements résistants aux hautes températures en raison de ses excellentes propriétés physicochimiques. Cependant, l'opérati......
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