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Nouvelles
Brève introduction au processus de fabrication des plaquettes SiC
En tant que matériau de substrat indispensable dans l'industrie de pointe des semi-conducteurs, les tranches de carbure de silicium présentent d'excellentes propriétés thermiques et électriques, offrant de larges perspectives d'application dans les dispositifs électroniques intégrés à haute températ......
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Matériau d'isolation thermique en fibre de carbone
La combinaison du feutre souple et du feutre rigide/rigidisé implique essentiellement d'équilibrer trois éléments : la conduction thermique (phase solide/gazeuse), le transfert de chaleur radiatif, et la structure et l'assemblage. Se concentrer sur un seul indicateur (tel que la conductivité thermiq......
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Propriétés et applications semi-conductrices des céramiques de carbure de silicium
La céramique de carbure de silicium est un matériau céramique avancé composé principalement de carbone et de silicium. Dotée de caractéristiques de performance exceptionnelles, la céramique de carbure de silicium est largement utilisée dans les industries haut de gamme, notamment l'usinage mécanique......
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Quelles sont les différences entre l'épitaxie et le CVD
Dans le processus de dépôt de couches minces pour la fabrication de puces, deux technologies sont souvent mentionnées ensemble, mais elles sont fondamentalement différentes : l'épitaxie et le dépôt chimique en phase vapeur. Ils sont comme des cousins, appartenant tous deux à la famille des « croissa......
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Pourquoi le revêtement en carbure de silicium est-il un choix plus judicieux pour les environnements de processus exigeants ?
Lorsque les ingénieurs et les équipes d’approvisionnement recherchent des composants capables de survivre à des conditions de processus difficiles, le véritable problème est rarement un mode de défaillance unique.
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Technologie de processus CVD SiC pour semi-conducteurs
La technologie du procédé SiC de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est essentielle pour la fabrication de composants électroniques de puissance hautes performances, permettant la croissance épitaxiale précise de couches de carbure de silicium de haute pureté sur des tranches de substrat. En tiran......
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