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Composant ICP revêtu de SiC
Le composant ICP à revêtement SiC de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Dotés d'un fin revêtement cristallin SiC, nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
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Revêtement SiC haute température pour chambres de gravure au plasma
Lorsqu'il s'agit de processus de manipulation de plaquettes tels que l'épitaxie et le MOCVD, le revêtement SiC haute température de Semicorex pour les chambres de gravure au plasma est le premier choix. Nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable grâce à notre fin revêtement cristallin SiC.
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Plateau de gravure au plasma ICP
Le plateau de gravure plasma ICP de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports offrent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.
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Système de gravure au plasma ICP
Le support à revêtement SiC de Semicorex pour le système de gravure plasma ICP est une solution fiable et rentable pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Nos supports sont dotés d'un fin revêtement cristallin SiC qui offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
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Plasma à couplage inductif (ICP)
Le suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.
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Support de plaquette de gravure ICP
Le support de tranche de gravure ICP de Semicorex est la solution parfaite pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.
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