Transporteur de plaquettes

· Excellente conductivité thermique : facilite un transfert de chaleur efficace, essentiel lors des processus de croissance épitaxiale des semi-conducteurs.

· Résistance aux hautes températures : le revêtement SiC résiste aux environnements thermiques extrêmes, garantissant que le support conserve ses performances tout au long du cycle thermique dans le réacteur.

· Résistance à la corrosion chimique : le revêtement SiC améliore significativement la résistance du support à l'oxydation et à la corrosion des gaz réactifs souvent rencontrés lors de l'épitaxie.

· Stabilité dimensionnelle : la combinaison de SiC et de graphite garantit que le support conserve sa forme et sa précision dans le temps, minimisant ainsi le risque de déformation lors de longs cycles de processus.

Applications dans la croissance de l'épitaxie des semi-conducteurs

L'épitaxie est un processus dans lequel une fine couche de matériau semi-conducteur est déposée sur un substrat, généralement une tranche, pour former une structure de réseau cristallin. Au cours de ce processus, la manipulation précise des tranches est essentielle, car même des écarts mineurs dans le positionnement des tranches peuvent entraîner des défauts ou des variations dans la structure des couches.

Le Wafer Carrier joue un rôle clé en garantissant que les tranches de semi-conducteurs sont solidement maintenues et correctement positionnées pendant ce processus. La combinaison de graphite recouvert de SiC offre les caractéristiques de performances requises pour l'épitaxie du carbure de silicium (SiC), un processus qui implique la croissance de cristaux SiC de haute pureté destinés à être utilisés dans l'électronique de puissance, l'optoélectronique et d'autres applications avancées de semi-conducteurs.

Plus précisément, le Wafer Carrier :

· Fournit un alignement précis de la tranche : assure l'uniformité de la croissance de la couche épitaxiale sur la tranche, ce qui est essentiel pour le rendement et les performances du dispositif.

· Résiste aux cycles thermiques : le graphite recouvert de SiC reste stable et fiable, même dans des environnements à haute température jusqu'à 2 000 °C, garantissant une manipulation cohérente des plaquettes tout au long du processus.

· Minimise la contamination de la tranche : La composition matérielle de haute pureté du support garantit que la tranche n'est pas exposée à des contaminants indésirables pendant le processus de croissance épitaxiale.

Dans les réacteurs d'épitaxie à semi-conducteurs, le Wafer Carrier est placé dans la chambre du réacteur, où il fonctionne comme une plate-forme de support pour la plaquette. Le support permet à la tranche d'être exposée à des températures élevées et aux gaz réactifs utilisés dans le processus de croissance épitaxiale sans compromettre l'intégrité de la tranche. Le revêtement SiC empêche les interactions chimiques avec les gaz, garantissant ainsi la croissance d'un matériau de haute qualité et sans défauts.

Avantages du support de plaquette en graphite revêtu de SiC

1. Durabilité améliorée : le revêtement SiC augmente la résistance à l'usure du matériau graphite, réduisant ainsi le risque de dégradation au fil de multiples utilisations.

2. Stabilité à haute température : le support de plaquette peut tolérer les températures extrêmes courantes dans les fours de croissance épitaxiale, conservant ainsi son intégrité structurelle sans se déformer ni se fissurer.

3. Rendement et efficacité du processus améliorés : en garantissant que les tranches sont manipulées de manière sûre et cohérente, le support de tranche en graphite recouvert de SiC contribue à améliorer le rendement global et l'efficacité du processus de croissance épitaxiale.

4. Options de personnalisation : Le support peut être personnalisé en termes de taille et de configuration pour répondre aux besoins spécifiques des différents réacteurs épitaxiaux, offrant ainsi une flexibilité pour une large gamme d'applications de semi-conducteurs.

SemicorexGraphite recouvert de SiCWafer Carrier est un composant crucial dans l’industrie des semi-conducteurs, fournissant une solution optimale pour la manipulation des plaquettes pendant le processus de croissance épitaxiale. Grâce à sa combinaison de stabilité thermique, de résistance chimique et de résistance mécanique, il garantit une manipulation précise et fiable des tranches semi-conductrices, conduisant à des résultats de meilleure qualité et à un rendement amélioré dans les processus d'épitaxie. Que ce soit pour l'épitaxie du carbure de silicium ou d'autres applications avancées de semi-conducteurs, ce Wafer Carrier offre la durabilité et les performances requises pour répondre aux normes rigoureuses de la fabrication moderne de semi-conducteurs.