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Dépôt épitaxial CVD dans un réacteur à baril

Dépôt épitaxial CVD dans un réacteur à baril

Le dépôt épitaxial CVD Semicorex dans un réacteur baril est un produit très durable et fiable pour la croissance de couches épixiales sur des puces de plaquettes. Sa résistance à l’oxydation à haute température et sa grande pureté le rendent adapté à une utilisation dans l’industrie des semi-conducteurs. Son profil thermique uniforme, son flux de gaz laminaire et sa prévention de la contamination en font un choix idéal pour la croissance de couches épixiales de haute qualité.

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Dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

Dépôt épitaxial de silicium dans un réacteur à baril

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite haute performance à utiliser dans des applications de fabrication de semi-conducteurs, le dépôt épitaxial de silicium Semicorex dans un réacteur en baril est le choix idéal. Son revêtement SiC de haute pureté et sa conductivité thermique exceptionnelle offrent des propriétés supérieures de protection et de répartition de la chaleur, ce qui en fait le choix idéal pour des performances fiables et constantes, même dans les environnements les plus difficiles.

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Système Epi à baril chauffé par induction

Système Epi à baril chauffé par induction

Si vous avez besoin d'un suscepteur en graphite doté de propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur, ne cherchez pas plus loin que le système Epi à baril chauffé par induction Semicorex. Son revêtement SiC de haute pureté offre une protection supérieure dans les environnements corrosifs et à haute température, ce qui en fait le choix idéal pour une utilisation dans les applications de fabrication de semi-conducteurs.

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Structure de baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

Structure de baril pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs

Avec ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de distribution de chaleur, la structure en barillet Semicorex pour réacteur épitaxial à semi-conducteurs est le choix idéal pour une utilisation dans les processus LPE et d'autres applications de fabrication de semi-conducteurs. Son revêtement SiC de haute pureté offre une protection supérieure dans les environnements corrosifs et à haute température.

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Suscepteur de corps en graphite revêtu de SiC

Suscepteur de corps en graphite revêtu de SiC

Si vous recherchez un suscepteur en graphite haute performance à utiliser dans les applications de fabrication de semi-conducteurs, le suscepteur à corps en graphite à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal. Ses propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et de répartition de la chaleur en font le choix idéal pour des performances fiables et constantes dans des environnements corrosifs et à haute température.

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Suscepteur de croissance cristalline recouvert de SiC

Suscepteur de croissance cristalline recouvert de SiC

Avec son point de fusion élevé, sa résistance à l'oxydation et à la corrosion, le suscepteur de croissance cristalline à revêtement SiC Semicorex est le choix idéal pour une utilisation dans les applications de croissance monocristalline. Son revêtement en carbure de silicium offre d'excellentes propriétés de planéité et de répartition de la chaleur, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements à haute température.

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