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Semicorex est un fabricant et fournisseur professionnel en Chine. Notre usine fournit un suscepteur à baril, un suscepteur mocvd, un bateau à plaquettes, etc. Une conception extrême, des matières premières de qualité, des performances élevées et un prix compétitif sont ce que chaque client veut, et c'est aussi ce que nous pouvons vous offrir. Nous prenons une haute qualité, un prix raisonnable et un service parfait.
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Composant ICP revêtu de SiC

Composant ICP revêtu de SiC

Le composant ICP à revêtement SiC de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Dotés d'un fin revêtement cristallin SiC, nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.

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Revêtement SiC haute température pour chambres de gravure au plasma

Revêtement SiC haute température pour chambres de gravure au plasma

Lorsqu'il s'agit de processus de manipulation de plaquettes tels que l'épitaxie et le MOCVD, le revêtement SiC haute température de Semicorex pour les chambres de gravure au plasma est le premier choix. Nos supports offrent une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable grâce à notre fin revêtement cristallin SiC.

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Plateau de gravure au plasma ICP

Plateau de gravure au plasma ICP

Le plateau de gravure plasma ICP de Semicorex est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports offrent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.

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Système de gravure au plasma ICP

Système de gravure au plasma ICP

Le support à revêtement SiC de Semicorex pour le système de gravure plasma ICP est une solution fiable et rentable pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Nos supports sont dotés d'un fin revêtement cristallin SiC qui offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.

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Plasma à couplage inductif (ICP)

Plasma à couplage inductif (ICP)

Le suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.

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Support de plaquette de gravure ICP

Support de plaquette de gravure ICP

Le support de tranche de gravure ICP de Semicorex est la solution parfaite pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.

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