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Pomme de douche en carbure de silicium CVD

Pomme de douche en carbure de silicium CVD

La pomme de douche en carbure de silicium CVD Semicorex est un composant essentiel et hautement spécialisé dans le processus de gravure des semi-conducteurs, en particulier dans la fabrication de circuits intégrés. Grâce à notre engagement inébranlable à fournir des produits de qualité supérieure à des prix compétitifs, nous sommes prêts à devenir votre partenaire à long terme en Chine.*

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Anneau de revêtement SiC

Anneau de revêtement SiC

L'anneau de revêtement Semicorex SiC est un composant essentiel dans l'environnement exigeant des processus d'épitaxie de semi-conducteurs. Grâce à notre engagement constant à fournir des produits de qualité supérieure à des prix compétitifs, nous sommes prêts à devenir votre partenaire à long terme en Chine.*

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Récepteur de disque SiC

Récepteur de disque SiC

Semicorex présente son suscepteur à disque SiC, conçu pour améliorer les performances des équipements d'épitaxie, de dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD) et de traitement thermique rapide (RTP). Le suscepteur de disque SiC méticuleusement conçu offre des propriétés qui garantissent des performances, une durabilité et une efficacité supérieures dans les environnements à haute température et sous vide.**

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Champ thermique du graphite

Champ thermique du graphite

Semicorex Graphite Thermal Field combine la science des matériaux de pointe avec une compréhension approfondie des processus de croissance cristalline, il offre une solution innovante qui permet à l'industrie des semi-conducteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de performances, d'efficacité et de rentabilité.**

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LPE SiC-Epi Demi-lune

LPE SiC-Epi Demi-lune

Semicorex LPE SiC-Epi Halfmoon est un atout indispensable dans le monde de l'épitaxie, offrant une solution robuste aux défis posés par les températures élevées, les gaz réactifs et les exigences strictes de pureté.**

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Couverture de revêtement CVD TaC

Couverture de revêtement CVD TaC

Le revêtement Semicorex CVD TaC est devenu une technologie critique dans les environnements exigeants des réacteurs d'épitaxie, caractérisés par des températures élevées, des gaz réactifs et des exigences de pureté strictes, qui nécessitent des matériaux robustes pour garantir une croissance cristalline constante et éviter les réactions indésirables.**

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