Plaquette SICOI

NOUS SOMMEStrancheest un matériau semi-conducteur composite avec une structure à trois couches fabriqué selon une méthode unique.

4. Pour fabriquer des appareils électroniques de puissance, tels que des interrupteurs d'alimentation et des appareils RF.

Située entre le substrat de silicium et la couche du dispositif SiC, la couche d'oxyde isolante constitue la couche intermédiaire de la plaquette SICOI. En isolant les chemins de courant entre les couches supérieure et inférieure, la couche d'oxyde isolante réduit efficacement le risque de courts-circuits et garantit les performances électriques stables des dispositifs semi-conducteurs. En raison de sa faible caractéristique d'absorption, il peut réduire considérablement la diffusion optique et améliorer l'efficacité de la transmission du signal optique des dispositifs semi-conducteurs.

La couche de dispositif en carbure de silicium est la couche fonctionnelle fondamentale de la structure de la plaquette SICOI. Il est essentiel pour réaliser des fonctions électroniques, photoniques et quantiques de haute performance en raison de sa résistance mécanique exceptionnelle, de son indice de réfraction élevé, de sa faible perte optique et de sa remarquable conductivité thermique.

Les applications des plaquettes SICOI :

1.Pour fabriquer un dispositif optique non linéaire comme un peigne à fréquence optique.

2.Pour la fabrication de puces photoniques intégrées.

3. Pour la fabrication d'un modulateur électro-optique

4. Pour fabriquer des appareils électroniques de puissance, tels que des interrupteurs d'alimentation et des appareils RF.

5. Pour fabriquer des capteurs MEMS comme un accéléromètre et un gyroscope.