Le revêtement SiC est une fine couche sur le suscepteur par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le carbure de silicium offre un certain nombre d'avantages par rapport au silicium, notamment 10 fois l'intensité du champ électrique de claquage, 3 fois la bande interdite, ce qui confère au matériau une résistance élevée aux températures et aux produits chimiques, une excellente résistance à l'usure ainsi qu'une conductivité thermique.
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Le revêtement SiC possède plusieurs avantages uniques
Résistance aux hautes températures : le suscepteur revêtu de SiC CVD peut résister à des températures élevées jusqu'à 1 600 °C sans subir de dégradation thermique importante.
Résistance chimique : Le revêtement en carbure de silicium offre une excellente résistance à une large gamme de produits chimiques, y compris les acides, les alcalis et les solvants organiques.
Résistance à l'usure : Le revêtement SiC confère au matériau une excellente résistance à l'usure, ce qui le rend adapté aux applications impliquant une usure élevée.
Conductivité thermique : Le revêtement CVD SiC confère au matériau une conductivité thermique élevée, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des applications à haute température qui nécessitent un transfert de chaleur efficace.
Haute résistance et rigidité : le suscepteur revêtu de carbure de silicium confère au matériau une résistance et une rigidité élevées, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une résistance mécanique élevée.
Le revêtement SiC est utilisé dans diverses applications
Fabrication de LED : le suscepteur revêtu de SiC CVD est utilisé dans la fabrication de divers types de LED, y compris les LED bleues et vertes, les LED UV et les LED UV profondes, en raison de sa conductivité thermique élevée et de sa résistance chimique.
Communication mobile : le suscepteur revêtu de SiC CVD est un élément crucial du HEMT pour compléter le processus d'épitaxie GaN-sur-SiC.
Traitement des semi-conducteurs : le suscepteur revêtu de SiC CVD est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour diverses applications, notamment le traitement des plaquettes et la croissance épitaxiale.
Composants en graphite revêtus de SiC
Fabriqué en graphite Silicon Carbide Coating (SiC), le revêtement est appliqué par une méthode CVD sur des qualités spécifiques de graphite haute densité, de sorte qu'il peut fonctionner dans le four à haute température avec plus de 3000 ° C dans une atmosphère inerte, 2200 ° C sous vide .
Les propriétés spéciales et la faible masse du matériau permettent des vitesses de chauffage rapides, une répartition uniforme de la température et une précision de contrôle exceptionnelle.
Données matérielles du revêtement Semicorex SiC
Propriétés typiques |
Unités |
Valeurs |
Structure |
|
Phase β FCC |
Orientation |
Fraction (%) |
111 préférés |
Densité apparente |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Capacité thermique |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Dilatation thermique 100 à 600 °C (212 à 1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Module de Young |
Gpa (pli 4pt, 1300â) |
430 |
Taille d'un grain |
μm |
2~10 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force Felexurale |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Conclusion Le suscepteur revêtu de SiC CVD est un matériau composite qui combine les propriétés d'un suscepteur et du carbure de silicium. Ce matériau possède des propriétés uniques, notamment une résistance élevée aux températures et aux produits chimiques, une excellente résistance à l'usure, une conductivité thermique élevée et une résistance et une rigidité élevées. Ces propriétés en font un matériau attrayant pour diverses applications à haute température, notamment le traitement des semi-conducteurs, le traitement chimique, le traitement thermique, la fabrication de cellules solaires et la fabrication de LED.
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