Le revêtement SiC est une fine couche appliquée sur le suscepteur grâce au processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le matériau en carbure de silicium offre un certain nombre d'avantages par rapport au silicium, notamment une intensité de champ électrique de claquage 10 fois supérieure, une bande interdite 3 fois supérieure, ce qui confère au matériau une résistance élevée aux températures et aux produits chimiques, une excellente résistance à l'usure ainsi qu'une conductivité thermique.
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Le revêtement SiC possède plusieurs avantages uniques
Résistance aux hautes températures : le suscepteur à revêtement CVD SiC peut résister à des températures élevées jusqu'à 1 600 °C sans subir de dégradation thermique significative.
Résistance chimique : Le revêtement en carbure de silicium offre une excellente résistance à un large éventail de produits chimiques, notamment les acides, les alcalis et les solvants organiques.
Résistance à l’usure : le revêtement SiC confère au matériau une excellente résistance à l’usure, ce qui le rend adapté aux applications impliquant une usure élevée.
Conductivité thermique : le revêtement CVD SiC confère au matériau une conductivité thermique élevée, ce qui le rend adapté à une utilisation dans des applications à haute température nécessitant un transfert de chaleur efficace.
Haute résistance et rigidité : le suscepteur revêtu de carbure de silicium confère au matériau une résistance et une rigidité élevées, ce qui le rend adapté aux applications nécessitant une résistance mécanique élevée.
Le revêtement SiC est utilisé dans diverses applications
Fabrication de LED : le suscepteur à revêtement CVD SiC est utilisé dans la fabrication de divers types de LED, notamment les LED bleues et vertes, les LED UV et les LED UV profonds, en raison de sa conductivité thermique élevée et de sa résistance chimique.
Communication mobile : le suscepteur à revêtement CVD SiC est un élément crucial du HEMT pour compléter le processus d'épitaxie GaN-sur-SiC.
Traitement des semi-conducteurs : le suscepteur à revêtement CVD SiC est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour diverses applications, notamment le traitement des plaquettes et la croissance épitaxiale.
Composants en graphite revêtus de SiC
Fabriqué à partir de graphite avec revêtement en carbure de silicium (SiC), le revêtement est appliqué par une méthode CVD sur des qualités spécifiques de graphite haute densité, de sorte qu'il peut fonctionner dans un four à haute température avec plus de 3 000 °C dans une atmosphère inerte et 2 200 °C sous vide. .
Les propriétés spéciales et la faible masse du matériau permettent des vitesses de chauffage rapides, une répartition uniforme de la température et une précision de contrôle exceptionnelle.
Données matérielles du revêtement Semicorex SiC
Propriétés typiques |
Unités |
Valeurs |
Structure |
|
Phase β du FCC |
Orientation |
Fraction (%) |
111 préféré |
Densité apparente |
g/cm³ |
3.21 |
Dureté |
Dureté Vickers |
2500 |
Capacité thermique |
J kg-1 K-1 |
640 |
Dilatation thermique 100-600 °C (212-1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Module de Young |
Gpa (courbure 4pt, 1300℃) |
430 |
Taille des grains |
µm |
2~10 |
Température de sublimation |
℃ |
2700 |
Force de flexion |
MPa (RT 4 points) |
415 |
Conductivité thermique |
(W/mK) |
300 |
Conclusion Le suscepteur à revêtement CVD SiC est un matériau composite qui combine les propriétés d'un suscepteur et du carbure de silicium. Ce matériau possède des propriétés uniques, notamment une résistance aux températures élevées et aux produits chimiques, une excellente résistance à l’usure, une conductivité thermique élevée ainsi qu’une résistance et une rigidité élevées. Ces propriétés en font un matériau attrayant pour diverses applications à haute température, notamment le traitement des semi-conducteurs, le traitement chimique, le traitement thermique, la fabrication de cellules solaires et la fabrication de LED.
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