Anneaux SiC CVD solides

​Solide SemicorexCVD SiCles anneaux sont généralement montés à l'intérieur des chambres de réaction des équipements de gravure, entourant les mandrins électrostatiques pour servir de barrière de processus et de guide d'énergie. Ils peuvent concentrer le plasma dans la chambre autour de la tranche et empêcher la diffusion du plasma vers l'extérieur, fournissant ainsi un champ d'énergie approprié pour le processus de gravure précis. Ce champ d'énergie uniforme et stable peut atténuer efficacement les risques tels que les défauts de la tranche, la dérive du processus et la perte de rendement du dispositif semi-conducteur provoqués par une distribution inégale de l'énergie et une distorsion du plasma au bord de la tranche.

Excellents avantages matériels

Les anneaux CVD SiC solides Semicorex sont fabriqués à partir de SiC CVD de haute pureté, offrant d'excellents avantages matériels pour répondre pleinement aux exigences strictes de propreté élevée et de résistance élevée à la corrosion dans les environnements de gravure de semi-conducteurs.

1. Haute pureté

La pureté des anneaux SiC CVD solides Semicorex peut dépasser 99,9999 %, ce qui signifie que les anneaux sont presque exempts d'impuretés internes. Cette pureté exceptionnelle du matériau évite grandement la contamination indésirable des tranches de semi-conducteurs et des chambres de traitement due à la libération d'impuretés lors des processus de gravure des semi-conducteurs.

2. Haute résistance à la corrosion

Semicorexanneaux CVD SiC solidespeuvent maintenir l'intégrité structurelle et la stabilité des performances même lorsqu'ils sont exposés à des acides forts, des alcalis et du plasma en raison de la résistance supérieure à la corrosion du CVD SiC, ce qui en fait la solution idéale pour les environnements de traitement de gravure difficiles.

3. Performances de gestion thermique fiables

Le CVD SiC présente une conductivité thermique élevée et un coefficient de dilatation thermique minimal, ce qui permet aux anneaux CVD SiC solides Semicorex d'obtenir une dissipation thermique rapide et de conserver une excellente stabilité dimensionnelle pendant le fonctionnement.

4. Uniformité exceptionnelle de la résistance

Les anneaux CVD SiC solides Semicorex offrent une uniformité de résistance exceptionnelle avec un RRG < 5 %.

Plages de résistivité : basse résolution. (<0,02 Ω·cm), moyenne résolution. (0,2–25 Ω·cm), haute résolution. (>100 Ω·cm).

Contrôle qualité précis

Les anneaux CVD SiC solides Semicorex sont traités et inspectés selon des normes rigoureuses pour répondre pleinement aux exigences strictes de précision et de qualité des domaines des semi-conducteurs et de la microélectronique.

Traitement de surface : La précision du polissage est Ra < 0,1 µm ; la précision du broyage fin est Ra > 0,1 µm

La précision du traitement est contrôlée dans ≤ 0,03 mm

Inspection de qualité : les anneaux CVD SiC solides Semicorex seront soumis à des mesures dimensionnelles, des tests de résistivité et une inspection visuelle pour garantir que le produit est exempt d'éclats, de rayures, de fissures, de taches et d'autres défauts.