Suscepteurs de plaquettes de graphite à revêtement TaC

Avec l'évolution continue des procédés modernes de fabrication de semi-conducteurs, les exigences imposées aux plaquettes épitaxiales en termes d'uniformité du film, de qualité cristallographique et de stabilité du procédé sont devenues de plus en plus strictes. Pour cette raison, l'utilisation de matériaux performants et durablesSuscepteurs de tranches de graphite revêtues de TaCdans le processus de production est important pour garantir un dépôt stable et une croissance épitaxiale de haute qualité.

Les avantages des suscepteurs de plaquettes de graphite à revêtement Semicorex TaC

1. Les excellentes sélections de matériaux

(1) Matériau de la matrice

Semicorex a utilisé une haute pureté premiumgraphitecomme matrice de suscepteurs de tranches, qui offre une conductivité thermique supérieure, une résistance aux températures élevées, ainsi qu'une résistance mécanique et une dureté. Son coefficient de dilatation thermique correspond parfaitement à celui du revêtement TaC, garantissant efficacement une adhérence ferme et empêchant le revêtement de se décoller ou de s'effriter.

(2) Matériau de revêtement

Le carbure de tantale est un matériau haute performance avec un point de fusion extrêmement élevé (environ 3 880 ℃), une excellente conductivité thermique, une stabilité chimique supérieure et une résistance mécanique exceptionnelle. Les paramètres de performances spécifiques sont les suivants :

2. Performances de revêtement exceptionnelles

Semicorex utilise une technologie CVD de pointe pour adhérer uniformément et fermement aurevêtement TaCà la matrice de graphite, réduisant efficacement le risque de fissuration ou de pelage du revêtement causé par des températures élevées et des conditions de fonctionnement de corrosion chimique. De plus, la technologie de traitement de précision de Semicorex atteint une planéité de surface de l'ordre du nanomètre pour les suscepteurs de tranches de graphite revêtues de TaC, et leurs tolérances de revêtement sont contrôlées au niveau micrométrique, fournissant ainsi des plates-formes optimales pour le dépôt épitaxial de tranches.

3. Niveau de nettoyage de qualité semi-conducteur

Les matrices de graphite ne peuvent pas être directement utilisées dans des processus tels que l'épitaxie par jet moléculaire (MBE), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur organométallique (MOCVD). L'application de revêtements TaC évite efficacement la contamination de la tranche provoquée par la réaction entre la matrice de graphite et les produits chimiques, évitant ainsi tout impact sur les performances de dépôt final. Pour garantir la propreté au niveau des semi-conducteurs dans la chambre de réaction, chaque suscepteur de tranche de graphite revêtu de Semicorex TaC qui doit être en contact direct avec les tranches de semi-conducteur subit un nettoyage par ultrasons avant d'être emballé sous vide.