Demi-lune enduite de TaC

Halfmoon avec revêtement Semicorex TaC conserve son intégrité structurelle et son inertie chimique aux températures élevées (jusqu'à 2 200 °C) requises pour l'épitaxie SiC. Cela garantit des performances thermiques constantes et évite les réactions indésirables avec les gaz de traitement ou les matériaux sources. Et il peut être conçu pour optimiser la conductivité thermique et l'émissivité, favorisant ainsi une répartition uniforme de la chaleur sur la surface du suscepteur. Cela conduit à des profils de température de tranche plus homogènes et à une uniformité améliorée de l'épaisseur de la couche épitaxiale et de la concentration de dopage. De plus, le coefficient de dilatation thermique du Halfmoon recouvert de TaC peut être adapté pour correspondre étroitement à celui du SiC, minimisant ainsi le stress thermique pendant les cycles de chauffage et de refroidissement. Cela réduit la courbure des plaquettes et le risque de formation de défauts, contribuant ainsi à des rendements plus élevés du dispositif.

Le Halfmoon avec revêtement TaC prolonge considérablement la durée de vie des suscepteurs en graphite par rapport aux alternatives non revêtues/revêtues de SiC. La résistance améliorée au dépôt de SiC et à la dégradation thermique réduit la fréquence des cycles de nettoyage et de remplacement, réduisant ainsi les coûts globaux de fabrication.

Avantages pour les performances des appareils SiC :

Fiabilité et performances améliorées des appareils :L'uniformité améliorée et la densité de défauts réduite dans les couches épitaxiales cultivées sur la Halfmoon recouverte de TaC se traduisent par des rendements plus élevés du dispositif et des performances améliorées en termes de tension de claquage, de résistance à l'état passant et de vitesse de commutation.

Solution rentable pour la fabrication en grand volume :La durée de vie prolongée, les besoins de maintenance réduits et la qualité améliorée des plaquettes contribuent à un processus de fabrication plus rentable pour les dispositifs d'alimentation SiC.

Halfmoon avec revêtement Semicorex TaC joue un rôle essentiel dans l'avancement de l'épitaxie SiC en relevant les principaux défis liés à la compatibilité des matériaux, à la gestion thermique et à la contamination des processus. Cela permet la production de tranches SiC de meilleure qualité, conduisant à des dispositifs électroniques de puissance plus efficaces et plus fiables pour les applications dans les véhicules électriques, les énergies renouvelables et d'autres industries exigeantes.