Bague d'étanchéité avec revêtement TaC

La bague d'étanchéité à revêtement Semicorex TaC présente une inertie exceptionnelle face à une large gamme de gaz et de produits chimiques corrosifs utilisés dans les processus de semi-conducteurs, y compris les produits chimiques de gravure au plasma (par exemple, le fluor, le chlore, le brome), les dopants (par exemple, le bore, le phosphore, l'arsenic) et les produits agressifs. agents de nettoyage. Cette inertie empêche la dégradation des joints et la contamination des chambres de traitement sensibles.

Et avec un point de fusion supérieur à 3 800°C, la bague d'étanchéité à revêtement TaC conserve son intégrité structurelle et sa résistance mécanique aux températures élevées rencontrées lors du traitement des plaquettes. Cela garantit des performances d’étanchéité fiables pendant les processus de recuit, de dépôt et de gravure à haute température.

L'extrême dureté et le faible coefficient de frottement de la bague d'étanchéité à revêtement TaC offrent une résistance exceptionnelle à l'usure, aux rayures et à l'abrasion. Ceci est essentiel dans les applications d'étanchéité dynamique où des mouvements ou des contacts répétés avec des plaquettes et d'autres composants peuvent entraîner la génération de particules et une défaillance du joint.

La bague d'étanchéité à revêtement TaC présente des taux de dégazage très faibles, même à des températures élevées, ce qui la rend idéale pour les applications sous vide poussé. Cela garantit la pureté du processus et empêche le dépôt de contaminants indésirables sur les surfaces sensibles des plaquettes.

Avantages spécifiques dans les applications de semi-conducteurs :

Durée de vie prolongée du joint :La bague d'étanchéité à revêtement TaC augmente considérablement la durée de vie du joint en offrant une résistance supérieure aux attaques chimiques, à la dégradation thermique et à l'usure mécanique. Cela réduit la fréquence de remplacement des joints, minimisant ainsi les temps d'arrêt et les coûts de maintenance.

Rendement du processus et qualité des plaquettes améliorés :La nature inerte de la bague d'étanchéité recouverte de TaC minimise la génération de particules et la contamination, ce qui conduit à des rendements de processus plus élevés et à une qualité améliorée des plaquettes. Ceci est essentiel pour la production de dispositifs semi-conducteurs hautes performances avec des tolérances de défauts strictes.

Amélioration de la disponibilité et de la productivité des équipements :Des durées de vie plus longues des joints et des besoins de maintenance réduits contribuent à augmenter la disponibilité des équipements et la productivité globale. Ceci est crucial pour maximiser la production et répondre aux exigences de la fabrication de semi-conducteurs en grand volume.