TAC SOBATING Half-lune Part

La céramique TAC a un point de fusion allant jusqu'à 3880 ° C, une dureté élevée (dureté Mohs 9-10), une grande conductivité thermique (22W · M-1 · K - 1), une grande résistance à la flexion (340-400MPA) et un petit coefficient d'expansion thermique (6,6 × 10 - 1k - 1). Ils présentent également une excellente stabilité thermochimique et d'excellentes propriétés physiques, et ont une bonne compatibilité chimique et mécanique avec les composites de graphite et de C / C. Par conséquent, les revêtements TAC sont largement utilisés dans la protection thermique aérospatiale, la croissance monocristallière, l'électronique énergétique et les dispositifs médicaux.

Le graphite enduit de TAC a une meilleure résistance à la corrosion chimique que le graphite nu ou le graphite enduit de Sic, peut être utilisé de manière stable à des températures élevées de 2600 ° et ne réagit pas avec de nombreux éléments métalliques. Il s'agit du meilleur revêtement dans les scénarios de croissance en cristal et de gravure monocristalliques de troisième génération, et peut améliorer considérablement le contrôle de la température et des impuretés dans le processus, et préparer des tranches de carbure de silicium de haute qualité et des tranches épitaxiales apparentées. Il convient particulièrement à la croissance ou à des monocristaux GAn ou ALN avec un équipement MOCVD et à la croissance ou à des monocristaux SIC avec un équipement PVT. La qualité des monocristaux cultivés est considérablement améliorée.

Ce produit est une solution idéale pour les fabricants priorités de précision, d'efficacité et de durabilité dans leurs processus épitaxy. Trust Semicorex pour des solutions haute performance conçues pour répondre aux besoins en évolution de l'industrie des semi-conducteurs.