Demi-lune supérieure avec revêtement TaC

La demi-lune supérieure de revêtement Semicorex TaC est un composant spécialement conçu pour réaliser des processus épitaxiaux à haut rendement dans le domaine de la production de semi-conducteurs. La pièce de demi-lune supérieure de revêtement TaC est conçue pour s'adapter parfaitement aux réacteurs épitaxiaux, offrant une durabilité et une stabilité exceptionnelles dans des conditions extrêmes.

Le revêtement TaC offre une excellente résistance aux températures élevées, ce qui rend le revêtement TaC Upper Halfmoon idéal pour les environnements thermiques exigeants des processus épitaxiaux. Cela garantit des performances et une longévité constantes, réduisant ainsi la fréquence des remplacements et les temps d’arrêt. La demi-lune supérieure du revêtement TaC peut résister aux gaz corrosifs et aux produits chimiques couramment utilisés dans la croissance épitaxiale, protégeant ainsi l'intégrité du composant et maintenant la pureté du processus.

Le revêtement TaC lisse et uniforme améliore la qualité des couches épitaxiales en minimisant les défauts et les impuretés. Cela contribue à des taux de rendement plus élevés et à des propriétés électroniques supérieures des dispositifs semi-conducteurs. La combinaison de la résistance thermique et chimique prolonge la durée de vie opérationnelle de la demi-lune supérieure du revêtement TaC, offrant ainsi une solution rentable pour maintenir un débit et une efficacité élevés dans la fabrication de semi-conducteurs.

Applications :

Processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) à haute température

Epitaxie de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN)

Spécifications techniques :

Matériau : revêtement en carbure de tantale (TaC)

Plage de température : jusqu'à 2 200 °C

Résistance chimique : Excellente contre le HF, le HCl et d’autres gaz corrosifs

Dimensions : personnalisable pour s'adapter à des modèles de réacteurs spécifiques

Le revêtement Semicorex TaC Upper Halfmoon est un composant essentiel pour obtenir des couches épitaxiales de haute qualité avec une efficacité améliorée et des risques de contamination réduits. Ses propriétés matérielles avancées et son ingénierie précise en font un atout précieux dans l’industrie des semi-conducteurs, soutenant la production d’appareils électroniques de nouvelle génération.