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Plaquette Epi GaN-sur-Si haute puissance 850 V

Semicorex fournit une plaquette Epi GaN-on-Si haute puissance de 850 V. Par rapport à d'autres substrats pour dispositifs d'alimentation HMET, la plaquette épi GaN-sur-Si haute puissance 850 V permet des tailles plus grandes et des applications plus diversifiées, et peut être rapidement introduite dans les puces à base de silicium des usines grand public. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

La plaquette épi GaN-sur-Si haute puissance Semicorex 850 V a atteint une grande uniformité de la plaquette épitaxiale en améliorant le mécanisme de croissance et en contrôlant avec précision les conditions de croissance, la tension de claquage élevée et le faible courant de fuite de la plaquette épitaxiale en utilisant la technologie unique de croissance de la couche tampon. et une excellente concentration de gaz électronique 2D en contrôlant avec précision les conditions de croissance. En conséquence, nous avons réussi à surmonter les défis posés par la croissance épitaxiale hétérogène de GaN-sur-Si et à développer avec succès des produits adaptés à la haute tension.

Caractéristiques de la plaquette Epi GaN-on-Si haute puissance 850 V »

● Véritable résistance haute tension.

● Le plus haut niveau de contrôle de tenue en tension au monde.

● Densité de courant supérieure à 100 mA/mm.