Épitaxie Si

L'épitaxie Si permet l'ingénierie de propriétés de couche spécifiques, telles que l'épaisseur, la concentration de dopage et la composition. En introduisant des quantités contrôlées d'impuretés, appelées dopants, dans la couche épitaxiale, les caractéristiques électriques des dispositifs résultants peuvent être adaptées avec précision. Cela permet la création de différentes régions avec des types de conductivité distincts (type n ou type p) et des concentrations de porteurs souhaitées, permettant l'intégration de circuits électroniques complexes.

L'épitaxie Si est un processus fondamental dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avancés, y compris les microprocesseurs, les puces mémoire, les capteurs d'image et les cellules solaires. Il joue un rôle essentiel dans l'amélioration des performances, de la miniaturisation et de la fonctionnalité des appareils. La capacité de déposer des couches épitaxiales de haute qualité avec un contrôle précis des propriétés des matériaux contribue au progrès et à l'innovation continus dans l'industrie des semi-conducteurs.