Epitaxie GaN

L'épitaxie au nitrure de gallium GaN est un matériau semi-conducteur à large bande interdite doté d'excellentes propriétés électriques et optiques, ce qui en fait un candidat prometteur pour divers dispositifs électroniques et optoélectroniques.

L'épitaxie GaN a révolutionné le développement de dispositifs basés sur GaN, notamment l'électronique haute puissance, l'éclairage à semi-conducteurs (LED) et les dispositifs haute fréquence. La capacité de développer des couches épitaxiales GaN de haute qualité avec un contrôle précis des propriétés des matériaux a considérablement amélioré les performances, l'efficacité et la fiabilité des dispositifs GaN, contribuant ainsi aux progrès dans diverses industries, telles que l'électronique de puissance, les télécommunications et l'électronique grand public.