Épitaxie GaN

Épitaxie GaN

Semicorex propose une épitaxie GaN HEMT (nitrure de gallium) à couche mince personnalisée sur des substrats Si/SiC/GaN. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

L'épitaxie au nitrure de gallium GaN est un matériau semi-conducteur à large bande interdite doté d'excellentes propriétés électriques et optiques, ce qui en fait un candidat prometteur pour divers dispositifs électroniques et optoélectroniques.

L'épitaxie GaN a révolutionné le développement des dispositifs à base de GaN, y compris l'électronique haute puissance, l'éclairage à semi-conducteurs (LED) et les dispositifs haute fréquence. La capacité de développer des couches épitaxiales GaN de haute qualité avec un contrôle précis des propriétés des matériaux a considérablement amélioré les performances, l'efficacité et la fiabilité des dispositifs GaN, contribuant aux progrès dans diverses industries, telles que l'électronique de puissance, les télécommunications et l'électronique grand public.




Balises actives: GaN Epitaxy, Chine, Fabricants, Fournisseurs, Usine, Personnalisé, En vrac, Avancé, Durable

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