Épitaxie SiC

Semicorex propose une épitaxie SiC en couches minces (carbure de silicium) personnalisée sur des substrats pour le développement de dispositifs en carbure de silicium.

L'épitaxie SiC peut être adaptée pour répondre aux exigences spécifiques des dispositifs en incorporant des dopants ou en développant différentes orientations cristallines. Le dopage de la couche épitaxiale avec des impuretés telles que l'azote ou l'aluminium permet la modification des propriétés électriques, telles que le contrôle de la concentration en porteurs ou la création de jonctions p-n.

La qualité de la couche épitaxiale de SiC est évaluée par diverses techniques de caractérisation, notamment la diffraction des rayons X, la microscopie électronique à balayage, la microscopie à force atomique et les mesures électriques. Ces techniques aident à évaluer la structure cristalline, la morphologie de surface et les performances électriques de la couche épitaxiale.

Semicorex peut offrir : tranche épitaxiale SiC, tranche épitaxiale GaN, épitaxie Si, tranche SiC, etc.