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Support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC
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Support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC

Semicorex est l'un des principaux fabricants indépendants de graphite revêtu de carbure de silicium et de graphite de haute pureté usiné avec précision, se concentrant sur les domaines du graphite revêtu de carbure de silicium, de la céramique de carbure de silicium et du MOCVP de la fabrication de semi-conducteurs. Notre support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Le revêtement Semicorex SiC du support de tranches épitaxiales GaN-sur-SiC est un revêtement en carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Il possède des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu’une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en fines couches sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Notre support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support de plaquettes épitaxiales GaN-on-SiC.


Paramètres du support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire
- Garantir la régularité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés




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