Support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC

Semicorex est l'un des principaux fabricants indépendants de graphite revêtu de carbure de silicium, de graphite de haute pureté usiné avec précision, se concentrant sur les domaines du graphite revêtu de carbure de silicium, de la céramique de carbure de silicium et du MOCVP de la fabrication de semi-conducteurs. Notre support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Semicorex SiC Coating of GaN-on-SiC Epitaxial Wafers Carrier est un revêtement de carbure de silicium (SiC) dense et résistant à l'usure. Il a des propriétés élevées de résistance à la corrosion et à la chaleur ainsi qu'une excellente conductivité thermique. Nous appliquons du SiC en couches minces sur le graphite en utilisant le procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Notre support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC.

Paramètres du support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du support de plaquettes épitaxiales GaN-sur-SiC

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces
Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C
Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.
Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.
Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire
- Garantir l'uniformité du profil thermique
- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés