Récepteur SiC Epi-Wafer

Semicorex est un fabricant et fournisseur à grande échelle de suscepteurs en graphite recouvert de carbure de silicium en Chine. Nous nous concentrons sur les industries des semi-conducteurs telles que les couches de carbure de silicium et les semi-conducteurs épitaxiés. Notre suscepteur SiC Epi-Wafer présente un bon avantage en termes de prix et couvre de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme.

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Description du produit

Semicorex fournit un suscepteur SiC Epi-Wafer recouvert de MOCVD utilisé pour supporter les plaquettes. Leur construction en graphite revêtu de carbure de silicium (SiC) de haute pureté offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épi, ainsi qu'une résistance chimique durable. Le revêtement cristallin fin de SiC fournit une surface propre et lisse, essentielle pour la manipulation puisque les tranches immaculées entrent en contact avec le suscepteur en de nombreux points sur toute leur surface.
Notre suscepteur SiC Epi-Wafer est conçu pour obtenir le meilleur modèle de flux de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur SiC Epi-Wafer.

Paramètres du suscepteur SiC Epi-Wafer

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur SiC Epi-Wafer

Graphite revêtu de SiC de haute pureté
Résistance thermique et uniformité thermique supérieures
Cristal SiC fin recouvert pour une surface lisse
Haute durabilité contre le nettoyage chimique
Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et le délaminage.