Substrat GaN-sur-SiC

Suscepteur en graphite Semicorex conçu spécifiquement pour les équipements d'épitaxie à haute résistance à la chaleur et à la corrosion en Chine. Nos suscepteurs de substrat GaN-on-SiC présentent un bon avantage en termes de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les supports de plaquettes à substrat GaN-on-SiC utilisés dans les phases de dépôt de couches minces ou dans le traitement de manipulation des plaquettes doivent résister à des températures élevées et à un nettoyage chimique agressif. Semicorex fournit un suscepteur de substrat GaN-sur-SiC recouvert de SiC de haute pureté offrant une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épi, ainsi qu'une résistance chimique durable. Le revêtement cristallin fin de SiC fournit une surface propre et lisse, essentielle pour la manipulation puisque les tranches immaculées entrent en contact avec le suscepteur en de nombreux points sur toute leur surface.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre suscepteur de substrat GaN-on-SiC présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Paramètres du suscepteur de substrat GaN-sur-SiC

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du suscepteur de substrat GaN-sur-SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur recouvert de carbure de silicium utilisé pour la croissance monocristalline présente une très grande planéité de surface.

- Réduisez la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliorez efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.