Substrat GaN sur SiC
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Substrat GaN sur SiC

Suscepteur en graphite Semicorex spécialement conçu pour les équipements d'épitaxie à haute résistance à la chaleur et à la corrosion en Chine. Nos suscepteurs de substrat GaN-sur-SiC ont un bon avantage de prix et couvrent de nombreux marchés européens et américains. Nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Les supports de tranches de substrat GaN-sur-SiC utilisés dans les phases de dépôt de couches minces ou le traitement de manipulation de tranches doivent supporter des températures élevées et un nettoyage chimique agressif. Semicorex fournit un suscepteur de substrat GaN-sur-SiC revêtu de SiC de haute pureté offrant une résistance à la chaleur supérieure, une uniformité thermique uniforme pour une épaisseur et une résistance constantes de la couche épi et une résistance chimique durable. Le revêtement en cristal SiC fin offre une surface propre et lisse, essentielle pour la manipulation puisque les plaquettes vierges entrent en contact avec le suscepteur en de nombreux points sur toute leur surface.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre suscepteur de substrat GaN-sur-SiC a un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.


Paramètres du suscepteur de substrat GaN-sur-SiC

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure en cristal

Phase β FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille d'un grain

μm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J·kg-1 ·K-1

640

Température de sublimation

2700

Force Felexurale

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (pli 4pt, 1300â)

430

Dilatation Thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du suscepteur de substrat GaN-sur-SiC

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une bonne densité et peuvent jouer un bon rôle de protection dans les environnements de travail à haute température et corrosifs.

- Le suscepteur revêtu de carbure de silicium utilisé pour la croissance de monocristaux a une planéité de surface très élevée.

- Réduit la différence de coefficient de dilatation thermique entre le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium, améliore efficacement la force de liaison pour éviter les fissures et le délaminage.

- Le substrat en graphite et la couche de carbure de silicium ont une conductivité thermique élevée et d'excellentes propriétés de répartition de la chaleur.

- Point de fusion élevé, résistance à l'oxydation à haute température, résistance à la corrosion.





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