Pièces de seconde moitié Semicorex pour déflecteurs inférieurs dans le processus épitaxial, composants méticuleusement conçus conçus pour révolutionner les performances de vos dispositifs semi-conducteurs. Spécialement conçus pour le système d'admission des réacteurs LPE, ces raccords semi-cylindriques jouent un rôle central dans l'amélioration du processus de croissance épitaxiale. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Les pièces de la seconde moitié des chicanes inférieures du processus épitaxial présentent une forme semi-cylindrique distinctive, stratégiquement conçue pour optimiser le flux de gaz dans le réacteur épitaxial. Fabriquées à partir de graphite de haute qualité avec des revêtements CVD SiC, ces pièces garantissent une durabilité et une stabilité thermique exceptionnelles. Conçus pour résister aux rigueurs de la fabrication des semi-conducteurs, ils contribuent à la longévité et à la fiabilité de votre équipement.
Les composants sont minutieusement conçus pour optimiser le flux de gaz, garantissant ainsi une distribution et un dépôt efficaces des matériaux pendant le processus de croissance épitaxiale. Cela se traduit par une qualité de couche supérieure sur les tranches semi-conductrices.
Applications :
Conçu pour les réacteurs épitaxiaux dans la fabrication de semi-conducteurs.
Composants essentiels pour obtenir une croissance épitaxiale précise et uniforme.
Élevez vos capacités de fabrication de semi-conducteurs avec nos pièces de seconde moitié pour les chicanes inférieures du processus épitaxial. Faites confiance à l'innovation et à la fiabilité de nos composants semi-cylindriques, recouverts de CVD SiC pour une durabilité accrue. Restez à la pointe de la technologie des semi-conducteurs avec ces raccords avancés, garantissant des performances optimales et une qualité constante de couche épitaxiale. Choisissez des pièces de seconde moitié pour les chicanes inférieures dans le processus épitaxial, où la précision rencontre le progrès.