Suscepteur en graphite avec revêtement SiC

Le revêtement SiC sur le suscepteur en graphite avec revêtement SiC sert à plusieurs fins. Premièrement, il offre une stabilité thermique améliorée, permettant un contrôle précis des gradients de température pendant les processus de croissance épitaxiale. Cette stabilité est cruciale pour obtenir des couches de silicium uniformes et de haute qualité dans les tranches semi-conductrices. Le revêtement SiC sur le suscepteur en graphite avec revêtement SiC offre une excellente résistance à la corrosion chimique et aux chocs thermiques, préservant l'intégrité du suscepteur même dans des conditions de processus exigeantes. Cette durabilité se traduit par une durée de vie opérationnelle prolongée et une réduction des temps d'arrêt, contribuant ainsi à une productivité et une rentabilité plus élevées pour les installations de fabrication de semi-conducteurs.

La conception du corps du suscepteur en graphite avec revêtement SiC facilite le chargement et le déchargement efficaces des tranches, optimisant ainsi le débit des processus d'épitaxie. De plus, le suscepteur en graphite avec revêtement SiC est un produit personnalisé qui peut être adapté pour répondre aux exigences et préférences spécifiques des fabricants de semi-conducteurs, garantissant ainsi la compatibilité avec différentes configurations d'équipement et paramètres de processus.