Baril SiC pour épitaxie de silicium

Le baril Semicorex SiC pour épitaxie de silicium est construit à partir d'un matériau en graphite recouvert de carbure de silicium (SiC). Cette construction unique garantit une excellente résistance aux chocs thermiques et à la dégradation chimique, prolongeant la durée de vie du suscepteur et maintenant la fiabilité du processus.

Le revêtement SiC avancé du SiC Barrel For Silicon Epitaxy offre une conductivité thermique et une répartition de la chaleur supérieures, favorisant des profils de température uniformes dans tout le suscepteur. Cela améliore le contrôle du processus, minimise les gradients thermiques et garantit une croissance constante de la couche épitaxiale, ce qui donne lieu à des films de silicium de haute qualité présentant une uniformité et une pureté exceptionnelles.

Notre baril SiC pour épitaxie de silicium peut être personnalisé pour répondre à des exigences et préférences spécifiques. Des ajustements de taille aux variations d’épaisseur de revêtement, nous offrons une flexibilité de conception pour s’adapter à divers paramètres de processus et optimiser les performances pour des applications spécifiques.

Notre baril SiC pour épitaxie de silicium offre fiabilité et longévité, réduisant les temps d'arrêt et les coûts de maintenance associés aux remplacements fréquents. Sa construction robuste et ses performances exceptionnelles contribuent à améliorer l'efficacité des processus, améliorant ainsi la productivité et la rentabilité des opérations de fabrication de semi-conducteurs.