Accepteur de plaquettes

Semicorex Wafer Susceptor est savamment fabriqué à partir de graphite et recouvert de carbure de silicium (SiC) pour répondre aux conditions exigeantes de la fabrication moderne de semi-conducteurs.

Dans les procédés d’épitaxie, le maintien d’un environnement stable et contrôlé est absolument essentiel. Le Wafer Susceptor sert de plate-forme fondamentale sur laquelle les plaquettes sont placées pendant le dépôt, répondant à des exigences précises en matière d'uniformité de température, d'inertie chimique et de résistance mécanique pour obtenir des couches épitaxiales de haute qualité.

Le choix du graphite comme matériau de base pour le Wafer Susceptor est motivé par son excellente conductivité thermique et ses propriétés mécaniques. La capacité du graphite à résister à des températures élevées tout en conservant son intégrité structurelle est cruciale dans les environnements à haute température des réacteurs d'épitaxie. De plus, la conductivité thermique du graphite assure une répartition efficace de la chaleur sur la tranche, réduisant ainsi le risque de gradients de température pouvant entraîner des défauts dans la couche épitaxiale.

Pour améliorer les performances du Wafer Susceptor, un revêtement en carbure de silicium (SiC) est appliqué de manière experte sur la base en graphite. Le SiC est un matériau très durable doté d'une résistance chimique supérieure, ce qui le rend idéal pour une utilisation dans les environnements semi-conducteurs où des gaz réactifs sont souvent présents. Le revêtement SiC fournit une barrière protectrice qui protège le graphite des réactions chimiques potentielles, garantissant ainsi la longévité du suscepteur de la tranche et maintenant un environnement propre à l'intérieur du réacteur.

Le suscepteur Semicorex Wafer en graphite recouvert de SiC est un composant indispensable dans les processus d'épitaxie de semi-conducteurs. Sa combinaison des propriétés thermiques et mécaniques du graphite avec la stabilité chimique et thermique du carbure de silicium le rend parfaitement adapté aux exigences rigoureuses de la fabrication moderne de semi-conducteurs. La conception monoplaquette offre un contrôle précis du processus d’épitaxie, contribuant ainsi à la production de dispositifs semi-conducteurs de haute qualité. Ce suscepteur garantit que les tranches sont manipulées avec le plus grand soin et la plus grande précision, ce qui donne lieu à des couches épitaxiales supérieures et à des produits semi-conducteurs plus performants.