Porte-plaquette

Le support de plaquette Semicorex est ingénieusement conçu avec un noyau en graphite de haute pureté et méticuleusement recouvert de carbure de silicium (SiC) pour répondre aux exigences exigeantes des équipements d'épitaxie en phase liquide (LPE). Sa construction et le choix de ses matériaux sont absolument cruciaux pour maintenir l'intégrité des plaquettes pendant les processus à haute température inhérents à la fabrication des semi-conducteurs.

Le support de plaquette en graphite recouvert de SiC démontre une résistance exceptionnelle à l'usure, une caractéristique essentielle pour maintenir les dimensions précises et la qualité de surface requises pour une manipulation optimale des plaquettes. Dans les processus LPE, l’intégrité de la surface du support de plaquette est primordiale, car toute dégradation ou irrégularité pourrait entraîner des défauts dans la plaquette, entraînant une baisse des rendements et une augmentation des déchets. Le revêtement SiC garantit que le Wafer Holder conserve une surface lisse et stable au cours de cycles répétés, contribuant ainsi à la fiabilité et à la cohérence globales du processus d'épitaxie.

Furthermore, the SiC coating enhances the thermal performance of the Wafer Holder. Silicon Carbide’s high thermal conductivity ensures even heat distribution across the wafer during the epitaxy process, crucial for preventing thermal gradients that could cause warping or cracking of the wafers. This guarantees that the final products meet the stringent quality standards required in semiconductor manufacturing. The combination of graphite’s inherent thermal properties with the added benefits of the SiC coating creates a Wafer Holder capable of withstanding the most challenging thermal environments.

La conception du Wafer Holder est optimisée pour son application dans les équipements LPE. Le support de tranche est usiné avec précision pour accueillir les tranches en toute sécurité, minimisant ainsi le risque de mouvement ou de désalignement pendant le processus d'épitaxie. Cette précision est cruciale, car le moindre changement de position de la tranche peut entraîner un dépôt irrégulier, affectant les performances des dispositifs semi-conducteurs en cours de fabrication. Le support de plaquette en graphite recouvert de SiC offre la stabilité nécessaire, garantissant que les plaquettes restent dans la bonne position tout au long du processus.

                                                        Structure LEP, de LPE