Le suscepteur Semicorex Barrel avec revêtement SiC est une solution de pointe conçue pour améliorer l'efficacité et la précision des processus d'épitaxie du silicium. Fabriqué avec une attention méticuleuse aux détails, ce suscepteur cylindrique avec revêtement SiC est conçu pour répondre aux exigences exigeantes de la fabrication de semi-conducteurs, servant de support de tranche optimal et facilitant le transfert transparent de chaleur vers les tranches. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.
Construit à partir de graphite isostatique de haute qualité, réputé pour sa conductivité thermique et sa durabilité exceptionnelles, notre suscepteur de baril avec revêtement SiC garantit des performances fiables et une longévité dans les environnements les plus exigeants. De plus, le suscepteur cylindrique avec revêtement SiC est doté d'un revêtement spécialisé en carbure de silicium (SiC), améliorant sa stabilité thermique et assurant une répartition uniforme de la chaleur sur la surface de la tranche.
La conception en forme de tonneau de notre baril suscepteur avec revêtement SiC offre une polyvalence inégalée, parfaitement adaptée à l'intégration avec les unités de matériaux appliqués et LPE. Sa configuration innovante optimise le processus de croissance épitaxiale, favorisant des résultats cohérents et de haute qualité à chaque utilisation.
Principales caractéristiques du suscepteur Semicorex Barrel avec revêtement SiC :
La construction en graphite isostatique assure une conductivité thermique et une durabilité exceptionnelles.
Le revêtement en carbure de silicium (SiC) améliore la stabilité thermique et favorise une répartition uniforme de la chaleur.
La conception en forme de tonneau offre polyvalence et compatibilité avec les unités de matériaux appliqués et LPE.
Personnalisé pour répondre aux exigences spécifiques des procédés d’épitaxie du silicium, garantissant des performances et une fiabilité optimales.