Système de gravure au plasma ICP pour le processus PSS

Choisissez le système de gravure au plasma ICP de Semicorex pour le processus PSS pour des processus d'épitaxie et MOCVD de haute qualité. Notre produit est conçu spécifiquement pour ces processus, offrant une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion. Avec une surface propre et lisse, notre support est parfait pour manipuler des wafers vierges.

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Description du produit

Le système de gravure au plasma ICP de Semicorex pour le procédé PSS offre une excellente résistance à la chaleur et à la corrosion pour la manipulation des tranches et les procédés de dépôt de couches minces. Notre revêtement en cristal SiC fin offre une surface propre et lisse, assurant une manipulation optimale des plaquettes vierges.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits de haute qualité et rentables à nos clients. Notre système de gravure au plasma ICP pour le procédé PSS présente un avantage de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Notre objectif est d'être votre partenaire à long terme, offrant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre système de gravure au plasma ICP pour le processus PSS.

Paramètres du système de gravure au plasma ICP pour le processus PSS

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du système de gravure au plasma ICP pour le processus PSS

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire

- Garantir l'uniformité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés

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