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Support de gravure ICP en carbure de silicium

Support de gravure ICP en carbure de silicium

Vous recherchez un support de plaquette fiable pour les processus de gravure ? Ne cherchez pas plus loin que le support de gravure ICP en carbure de silicium de Semicorex. Notre produit est conçu pour résister à des températures élevées et à un nettoyage chimique agressif, garantissant ainsi durabilité et longévité. Avec une surface propre et lisse, notre support est parfait pour manipuler des plaquettes immaculées.

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Description du produit

Garantissez des modèles de flux de gaz laminaires optimaux et une uniformité du profil thermique avec le support de gravure ICP en carbure de silicium de Semicorex. Notre produit est conçu pour obtenir les meilleurs résultats possibles pour les processus de dépôt de couches minces et de manipulation de plaquettes. Avec une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion, notre support est le choix idéal pour les applications exigeantes.

Chez Semicorex, nous nous concentrons sur la fourniture de produits rentables et de haute qualité à nos clients. Notre support de gravure ICP en carbure de silicium présente un avantage en termes de prix et est exporté vers de nombreux marchés européens et américains. Nous visons à être votre partenaire à long terme, en fournissant des produits de qualité constante et un service client exceptionnel.

Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support de gravure ICP en carbure de silicium.


Paramètres du support de gravure ICP en carbure de silicium

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD

Structure cristalline

Phase β du FCC

Densité

g/cm³

3.21

Dureté

Dureté Vickers

2500

Taille des grains

µm

2~10

Pureté chimique

%

99.99995

Capacité thermique

J kg-1 K-1

640

Température de sublimation

2700

Force de flexion

MPa (RT 4 points)

415

Module de Young

Gpa (courbure 4pt, 1300℃)

430

Expansion thermique (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductivité thermique

(W/mK)

300


Caractéristiques du support de gravure ICP en carbure de silicium

- Éviter de se décoller et assurer un revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur modèle de flux de gaz laminaire

- Garantir la régularité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés





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