Graphite enduit de carbone de silicium ICP

Le graphite recouvert de carbone-silicium ICP de Semicorex est le choix idéal pour les processus exigeants de manipulation de plaquettes et de dépôt de couches minces. Notre produit offre une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion, une uniformité thermique uniforme et des modèles de flux de gaz laminaires optimaux.

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Description du produit

Les supports de plaquettes utilisés dans le traitement de croissance épitaxiale doivent supporter des températures élevées et un nettoyage chimique agressif. Les suscepteurs en graphite recouvert de carbone de silicium Semicorex ICP sont conçus spécifiquement pour ces applications exigeantes d'équipement d'épitaxie. Notre produit est conçu pour résister à des températures élevées et à un nettoyage chimique agressif, garantissant ainsi une longévité et des résultats optimaux.
Notre graphite recouvert de carbone et de silicium ICP est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant ainsi l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, garantissant ainsi une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre graphite recouvert de carbone-silicium ICP.

Paramètres du graphite recouvert de carbone-silicium ICP

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300