Graphite enduit de carbone de silicium d'ICP

L'ICP Silicon Carbon Coated Graphite de Semicorex est le choix idéal pour les processus exigeants de manipulation de plaquettes et de dépôt de couches minces. Notre produit offre une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion, une uniformité thermique uniforme et des modèles d'écoulement de gaz laminaire optimaux.

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Description du produit

Les supports de plaquettes utilisés dans le traitement de croissance épitaxiale doivent supporter des températures élevées et un nettoyage chimique agressif. Les suscepteurs Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite sont conçus spécifiquement pour ces applications exigeantes d'équipement d'épitaxie. Notre produit est conçu pour résister à des températures élevées et à un nettoyage chimique agressif, garantissant ainsi une longévité et des résultats optimaux.
Notre graphite enduit de carbone de silicium ICP est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, assurant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre ICP Silicon Carbon Coated Graphite.

Paramètres du graphite enduit de carbone de silicium ICP

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300