Support de plaquette pour le processus de gravure ICP

Le porte-wafers de Semicorex pour le processus de gravure ICP est le choix parfait pour les processus exigeants de manipulation de wafers et de dépôt de couches minces. Notre produit offre une résistance supérieure à la chaleur et à la corrosion, une uniformité thermique uniforme et des modèles d'écoulement de gaz laminaire optimaux pour des résultats cohérents et fiables.

envoyer une demande

Description du produit

Choisissez le support de plaquette de Semicorex pour le processus de gravure ICP pour des performances fiables et constantes dans les processus de manipulation de plaquettes et de dépôt de couches minces. Notre produit offre une résistance à l'oxydation à haute température, une grande pureté et une résistance à la corrosion aux réactifs acides, alcalins, salins et organiques.
Notre support de plaquette pour le processus de gravure ICP est conçu pour obtenir le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire, garantissant l'uniformité du profil thermique. Cela permet d'éviter toute contamination ou diffusion d'impuretés, assurant une croissance épitaxiale de haute qualité sur la puce de plaquette.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre support de plaquette pour le processus de gravure ICP.

Paramètres du support de plaquette pour le processus de gravure ICP

Principales caractéristiques du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure en cristal	Phase β FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille d'un grain	μm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force Felexurale	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (pli 4pt, 1300â)	430
Dilatation Thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300

Caractéristiques du support de plaquette pour le processus de gravure ICP

- Éviter le décollement et assurer le revêtement sur toutes les surfaces

Résistance à l'oxydation à haute température : Stable à haute température jusqu'à 1600°C

Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur CVD dans des conditions de chloration à haute température.

Résistance à la corrosion : dureté élevée, surface dense et particules fines.

Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

- Obtenez le meilleur schéma d'écoulement de gaz laminaire

- Garantir l'uniformité du profil thermique

- Empêcher toute contamination ou diffusion d'impuretés

Balises actives: Support de plaquette pour le processus de gravure ICP, Chine, fabricants, fournisseurs, usine, personnalisé, en vrac, avancé, durable