Le suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de plaquettes à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température jusqu'à 1600°C, nos supports assurent des profils thermiques uniformes, des schémas d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion des impuretés.
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