Plasma à couplage inductif (ICP)

Le suscepteur revêtu de carbure de silicium de Semicorex pour plasma à couplage inductif (ICP) est conçu spécifiquement pour les processus de manipulation de tranches à haute température tels que l'épitaxie et le MOCVD. Avec une résistance stable à l'oxydation à haute température allant jusqu'à 1 600 °C, nos supports garantissent des profils thermiques uniformes, des modèles d'écoulement de gaz laminaire et empêchent la contamination ou la diffusion d'impuretés.

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Description du produit

Besoin d'un support de tranche capable de supporter des environnements chimiques difficiles et à haute température ? Ne cherchez pas plus loin que le suscepteur à revêtement en carbure de silicium de Semicorex pour le plasma à couplage inductif (ICP). Nos supports sont dotés d'un fin revêtement cristallin SiC qui offre une résistance thermique supérieure, une uniformité thermique uniforme et une résistance chimique durable.
Contactez-nous dès aujourd'hui pour en savoir plus sur notre suscepteur SiC pour plasma à couplage inductif (ICP).

Paramètres du suscepteur pour le plasma à couplage inductif (ICP)

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J kg-1 K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300