Récepteur d'épitaxie SiC

Récepteur d'épitaxie SiC

Fabriqué avec précision et conçu pour la fiabilité, le suscepteur d'épitaxie SiC présente une résistance élevée à la corrosion, une conductivité thermique élevée, une résistance aux chocs thermiques et une stabilité chimique élevée, lui permettant de fonctionner efficacement dans une atmosphère épitaxiale. Par conséquent, le suscepteur d'épitaxie SiC est considéré comme un noyau et élément crucial des équipements MOCVD. Semicorex s'engage à fournir des produits de qualité à des prix compétitifs, nous sommes impatients de devenir votre partenaire à long terme en Chine.

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Description du produit

Le suscepteur d'épitaxie SiC est un composant essentiel utilisé dans les équipements MOCVD pour supporter et chauffer les substrats monocristallins. Ses paramètres de performance supérieurs tels que la stabilité thermique et l'uniformité thermique jouent un rôle décisif dans la qualité de la croissance des matériaux épitaxiaux, garantissant des niveaux élevés d'uniformité et de pureté dans les matériaux en couches minces.

Le suscepteur d'épitaxie SiC possède une excellente densité, offrant une protection efficace dans les environnements de travail à haute température et corrosifs. De plus, son haut niveau de planéité de surface répond parfaitement aux exigences de croissance de monocristaux sur la surface du substrat.

Le coefficient minimal de différences de dilatation thermique dans le suscepteur d'épitaxie SiC améliore considérablement la force de liaison entre le substrat épitaxial et le matériau de revêtement, réduisant ainsi le risque de fissuration après avoir subi un cycle thermique à haute température.

Simultanément, il présente une conductivité thermique élevée, facilitant une distribution rapide et uniforme de la chaleur pour la croissance des copeaux. De plus, son point de fusion élevé, sa résistance à la température, sa résistance à l'oxydation et sa résistance à la corrosion permettent un fonctionnement stable dans des environnements de travail corrosifs et à haute température.

En tant que composant crucial de la chambre de réaction de l'équipement MOCVD, le suscepteur d'épitaxie SiC doit posséder des avantages tels qu'une résistance aux températures élevées, une conductivité thermique uniforme, une bonne stabilité chimique et une forte résistance aux chocs thermiques. Le suscepteur d'épitaxie Semicorex SiC répond à toutes ces exigences.



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