Support de plaquette 6'' pour Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier pour Aixtron G5, souvent appelé suscepteurs, joue un rôle essentiel en maintenant solidement les plaquettes semi-conductrices pendant le traitement à haute température. Les suscepteurs garantissent que les tranches restent dans une position fixe, ce qui est crucial pour un dépôt de couche uniforme :

Gestion thermique :

Le support de plaquette 6'' pour Aixtron G5 est conçu pour fournir un chauffage et un refroidissement uniformes sur la surface de la plaquette, ce qui est essentiel pour les processus de croissance épitaxiale utilisés pour créer des couches semi-conductrices de haute qualité.

Croissance épitaxiale :

Couches SiC et GaN :

La plateforme Aixtron G5 est principalement utilisée pour la croissance épitaxiale de couches SiC et GaN. Ces couches sont fondamentales dans la fabrication de transistors à haute mobilité électronique (HEMT), de LED et d'autres dispositifs semi-conducteurs avancés.

Précision et uniformité :

La haute précision et l'uniformité requises dans le processus de croissance épitaxiale sont facilitées par les propriétés exceptionnelles du Wafer Carrier 6'' pour Aixtron G5. Le support permet d'atteindre l'uniformité stricte d'épaisseur et de composition nécessaire aux dispositifs semi-conducteurs hautes performances.

Avantages:

Stabilité à haute température :

Tolérance aux températures extrêmes :

Le Wafer Carrier 6'' pour Aixtron G5 peut supporter des températures extrêmement élevées, dépassant souvent 1600°C. Cette stabilité est cruciale pour les processus épitaxiaux qui nécessitent des températures élevées et soutenues pendant de longues périodes.

Intégrité thermique :

La capacité du Wafer Carrier 6'' pour Aixtron G5 à maintenir l'intégrité structurelle à des températures aussi élevées garantit des performances constantes et réduit le risque de dégradation thermique, qui pourrait compromettre la qualité des couches semi-conductrices.

Excellente conductivité thermique :

Répartition de la chaleur :

La conductivité thermique élevée du SiC facilite un transfert de chaleur efficace sur la surface de la plaquette, garantissant ainsi un profil de température uniforme. Cette uniformité est essentielle pour éviter les gradients thermiques pouvant conduire à des défauts et des non-uniformités dans les couches épitaxiales.

Contrôle de processus amélioré :

Une gestion thermique améliorée permet un meilleur contrôle du processus de croissance épitaxiale, permettant la production de couches semi-conductrices de meilleure qualité avec moins de défauts.

Résistance chimique :

Compatibilité avec les environnements corrosifs :

Le Wafer Carrier 6'' pour Aixtron G5 offre une résistance exceptionnelle aux gaz corrosifs couramment utilisés dans les procédés CVD, tels que l'hydrogène et l'ammoniac. Cette résistance prolonge la durée de vie des supports de tranche en protégeant le substrat en graphite des attaques chimiques.

Coûts de maintenance réduits :

La durabilité du Wafer Carrier 6'' pour Aixtron G5 réduit la fréquence de maintenance et de remplacement, entraînant une réduction des coûts opérationnels et une augmentation de la disponibilité de l'équipement Aixtron G5.

Faible coefficient de dilatation thermique (CTE) :

Stress thermique minimisé :

Le faible CTE du SiC permet de minimiser les contraintes thermiques pendant les cycles rapides de chauffage et de refroidissement inhérents aux processus de croissance épitaxiale. Cette réduction des contraintes thermiques diminue le risque de fissuration ou de déformation de la tranche, ce qui peut entraîner une défaillance du dispositif.

Compatibilité avec les équipements Aixtron G5 :

Conception sur mesure :

Semicorex 6'' Wafer Carrier pour Aixtron G5 est spécialement conçu pour être compatible avec l'équipement Aixtron G5, garantissant des performances optimales et une intégration transparente.

Performances maximisées :

Cette compatibilité maximise les performances et l'efficacité du système Aixtron G5, lui permettant de répondre aux exigences rigoureuses des processus modernes de fabrication de semi-conducteurs.