Substrat AIN

Conductivité thermique et isolation électrique inégalées

Le substrat AIN de Semicorex se distingue principalement par sa conductivité thermique exceptionnelle, cruciale pour la gestion de la chaleur dans les appareils électroniques de haute puissance. Avec une conductivité thermique standard de 175 W/m·K et des options de conductivité thermique élevée (200 W/m·K) et ultra-élevée (230 W/m·K), le substrat AIN dissipe efficacement la chaleur, garantissant ainsi la longévité et fiabilité des composants. Associé à ses fortes propriétés d'isolation électrique, le substrat AIN est le matériau préféré pour les sous-montages, les cartes de circuits imprimés (PCB) et les boîtiers pour composants haute puissance et haute fiabilité, ainsi que pour les dissipateurs de chaleur et divers circuits électroniques.

Compatibilité avec le silicium et la dilatation thermique

L'une des caractéristiques marquantes du substrat AIN est son coefficient de dilatation thermique (CTE), qui varie de 4 à 6 x 10^-6/K entre 20 et 1 000°C. Ce CTE est étroitement lié à celui du silicium, ce qui fait du substrat AIN un matériau idéal pour l'industrie des semi-conducteurs et l'emballage des appareils électroniques. Cette compatibilité réduit le risque de contrainte thermique et garantit une intégration transparente avec les composants à base de silicium, améliorant ainsi les performances et la fiabilité globales du dispositif.

Personnalisation pour répondre à divers besoins

Semicorex propose des services de personnalisation étendus pour le substrat AIN, permettant des solutions sur mesure pour répondre aux exigences spécifiques des applications. Qu'il s'agisse d'un type de meulage, d'un type de cuisson instantanée, d'une résistance élevée à la flexion, d'une conductivité thermique élevée, d'un type de polissage ou d'un type de traçage laser, Semicorex peut fournir des substrats optimisés pour les caractéristiques de performance souhaitées. Ce niveau de personnalisation garantit que les clients reçoivent des substrats qui répondent précisément à leurs besoins thermiques, mécaniques et électriques.

Polyvalence dans la métallisation et les applications électroniques

Le substrat AIN de Semicorex est compatible avec diverses techniques de métallisation, notamment le cuivre plaqué directement (DPC), le cuivre lié directement (DBC), l'impression sur couche épaisse, l'impression sur couche mince et le brasage métallique actif (AMB). Cette polyvalence le rend adapté à une large gamme d'applications électroniques, depuis les LED et circuits intégrés (CI) haute puissance jusqu'aux transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) et aux applications de batteries. L’adaptabilité du substrat à différentes méthodes de métallisation garantit qu’il peut être utilisé efficacement dans divers systèmes électroniques.

Capacités de conception ultra-minces

Pour les applications où l'espace et le poids sont des considérations critiques, Semicorex propose des substrats AIN avec des épaisseurs aussi fines que 0,1 mm. Cette capacité de conception ultra fine permet le développement d'appareils électroniques compacts et légers sans compromettre les performances ou la fiabilité. La capacité de produire des substrats aussi fins étend encore la gamme d'applications et améliore la flexibilité de conception pour les ingénieurs et les concepteurs.

Alternative sûre et écologique au BeO

Dans l'industrie des semi-conducteurs, le nitrure d'aluminium est de plus en plus adopté pour remplacer l'oxyde de béryllium (BeO) en raison de sa nature non dangereuse lors de l'usinage. Contrairement au BeO, qui présente des risques importants pour la santé lors de son traitement, l'AlN peut être manipulé et traité sans danger, ce qui en fait une alternative plus respectueuse de l'environnement et plus sûre. Ce changement améliore non seulement la sécurité des travailleurs, mais s’aligne également sur des réglementations environnementales plus strictes et des objectifs de développement durable.

Haute résistance mécanique

La résistance mécanique du substrat AIN est un autre avantage essentiel. Avec une résistance biaxiale supérieure à 320 MPa, le substrat assure durabilité et résilience sous contrainte mécanique. Cette résistance mécanique élevée est vitale pour les applications qui nécessitent des matériaux robustes et fiables, en particulier dans l'électronique haute puissance et les environnements opérationnels difficiles. La durabilité du Substrat AIN contribue à la longévité et à la fiabilité des appareils dans lesquels il est utilisé.

Large spectre d'applications

Les propriétés uniques du substrat AIN le rendent adapté à un large spectre d'applications haute puissance et hautes performances :

LED haute puissance : les capacités exceptionnelles de gestion thermique du substrat AIN garantissent un fonctionnement efficace et une durée de vie prolongée des LED haute puissance.

Circuits intégrés (CI) : L'isolation électrique et la conductivité thermique du substrat AIN en font un choix idéal pour les CI, améliorant les performances et la fiabilité.

Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) : la capacité du substrat à gérer des charges de puissance et thermiques élevées est cruciale pour le fonctionnement des IGBT dans diverses applications d'électronique de puissance.

Applications de batterie : dans les technologies de batterie, le substrat AIN assure une gestion thermique efficace, améliorant ainsi la sécurité et les performances.

Applications piézoélectriques : la résistance mécanique et les propriétés thermiques du substrat prennent en charge les dispositifs piézoélectriques de haute précision.

Moteurs haute puissance : La conductivité thermique et la durabilité du substrat AIN améliorent l’efficacité et la durée de vie des moteurs haute puissance.

Informatique quantique : les propriétés précises de gestion thermique et d'isolation électrique du substrat AIN le rendent adapté aux applications avancées d'informatique quantique.