Suscepteur planétaire ALD

Applications :

Dépôt diélectrique à haute k : Le suscepteur planétaire ALD présente une excellente résistance aux précurseurs agressifs utilisés dans le dépôt de matériaux diélectriques à haute teneur en k comme l'oxyde de hafnium (HfO2) et l'oxyde d'aluminium (Al2O3). Cela rend le suscepteur planétaire ALD adapté à la fabrication de transistors hautes performances pour les applications logiques et de mémoire.

Couches de métallisation : La stabilité à haute température du suscepteur planétaire ALD permet le dépôt de couches de métallisation à des températures élevées, conduisant à des propriétés de film améliorées telles qu'une résistivité plus faible et une densité plus élevée. Ceci est crucial pour créer des interconnexions efficaces dans les dispositifs semi-conducteurs avancés.

Fabrication de dispositifs optoélectroniques :La nature inerte du suscepteur planétaire ALD minimise les réactions indésirables avec les précurseurs utilisés dans le dépôt de matériaux sensibles tels que les semi-conducteurs III-V, ce qui fait du suscepteur planétaire ALD un choix idéal pour la fabrication de LED, de lasers et d'autres composants optoélectroniques.

Cycle ALD

Dépôt de couche atomique (ALD)offre plusieurs avantages clés par rapport aux autres techniques de dépôt de couches minces, ce qui la rend de plus en plus populaire pour diverses applications, notamment en microélectronique et en nanotechnologie.

Voici quelques-uns des principaux avantages de l’ALD :

1. Contrôle de l'épaisseur au niveau de l'Angström :

ALD permet un contrôle précis de l’épaisseur du film jusqu’au niveau de l’angström (0,1 nanomètre). Ce niveau de précision est atteint grâce à ses réactions de surface autolimitantes, où chaque cycle dépose une seule couche atomique.

2. Excellente uniformité et conformité :

ALD présente une uniformité exceptionnelle sur de grandes surfaces et des structures 3D complexes, y compris des caractéristiques à rapport d'aspect élevé comme les tranchées et les vias. Ceci est crucial pour les applications nécessitant des revêtements uniformes sur des géométries complexes, comme dans les dispositifs semi-conducteurs.

3. Basse température de dépôt :

L'ALD peut être réalisée à des températures relativement basses (souvent inférieures à 300°C) par rapport aux autres techniques de dépôt. Ceci est avantageux pour les substrats sensibles à la chaleur et permet l’utilisation d’une gamme plus large de matériaux.

4. Films de haute qualité :

ALD produit généralement des films avec une excellente densité, de faibles niveaux d'impuretés et une grande uniformité de composition et d'épaisseur. Ces caractéristiques sont essentielles pour obtenir des performances optimales dans diverses applications.

5. Large sélection de matériaux :

ALD propose une large sélection de matériaux pouvant être déposés, notamment des oxydes, des nitrures, des métaux et des sulfures. Cette polyvalence le rend adapté à un large éventail d’applications.

6. Évolutivité et applicabilité industrielle :

La technologie ALD est hautement évolutive et peut être facilement intégrée aux processus de fabrication existants. Il est compatible avec différentes tailles et formes de substrats, ce qui le rend adapté à la production en grand volume.